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ZHCSUO9 February 2024 DRV8262-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DDW|44
- MPDS309B

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

DDW|44
- PPTD374

订购信息

5.5 电气特性

典型值为 T_A = 25°C 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是推荐工作条件下的限值。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源电压（VM、DVDD）
I_VM	VM 工作电源电流	nSLEEP = 1，无负载，VCC = 外部 5V		5	8	mA
I_VM	VM 工作电源电流	nSLEEP = 1，无电机负载，VCC = DVDD		8.5	13	mA
I_VMQ	VM 睡眠模式电源电流	nSLEEP = 0		3	8	μA
t_SLEEP	睡眠时间	nSLEEP = 0 至睡眠模式	120			μs
t_RESET	nSLEEP 复位脉冲	nSLEEP 低电平至清除故障	20		40	μs
t_WAKE	唤醒时间	nSLEEP = 1 至输出转换		0.75	1	ms
t_ON	开通时间	VM > UVLO 至输出转换		0.8	1.3	ms
V_DVDD	内部稳压器电压	无外部负载，6V < V_VM < 60V	4.75	5	5.25	V
V_DVDD	内部稳压器电压	无外部负载，V_VM = 4.5V	4.3	4.45		V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
V_VCP	VCP 工作电压	6V < V_VM < 60V		V_VM + 5		V
f_(VCP)	电荷泵开关频率	V_VM > UVLO；nSLEEP = 1		360		kHz
逻辑电平输入（IN1、IN2、IN3、IN4、OCPM、MODE1、MODE2、nSLEEP）
V_IL	输入逻辑低电平电压		0		0.6	V
V_IH	输入逻辑高电平电压		1.5		5.5	V
V_HYS	输入逻辑迟滞			100		mV
V_HYS _nSLEEP	nSLEEP 逻辑迟滞			300		mV
I_IL	输入逻辑低电平电流（MODE2 除外）	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_IH	输入逻辑高电平电流（MODE2 除外）	V_IN = 5V			50	μA
R_PU	MODE2 内部上拉电阻			220		kΩ
t_PDH^¹	INx 高电平到 OUTx 高电平传播延迟			600		ns
t_PDL^¹	INx 低电平到 OUTx 低电平传播延迟			600		ns
三电平输入 (DECAY)
V_I1	输入逻辑低电平电压	连接至 GND	0		0.6	V
V_I2	输入高阻抗电压	高阻抗（>500kΩ 至 GND）	1.8	2	2.2	V
V_I3	输入逻辑高电平电压	连接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_O	输出上拉电流			10.5		μA
四电平输入 (TOFF)
V_I1	输入逻辑低电平电压	连接至 GND	0		0.6	V
V_I2		330kΩ ± 5% 至 GND	1	1.25	1.4	V
V_I3	输入高阻抗电压	高阻抗（>500kΩ 至 GND）	1.8	2	2.2	V
V_I4	输入逻辑高电平电压	连接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_O	输出上拉电流			10.5		μA
控制输出 (nFAULT)
V_OL	输出逻辑低电平电压	I_O = 5mA			0.3	V
I_OH	输出逻辑高电平漏电流		-1		1	μA
电机驱动器输出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
R_{DS(ONH_DUAL)}	双路 H 桥、高侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = -5 A		50	60	mΩ
		T_J = 125 °C、I_O = -5 A		75	94	mΩ
		T_J = 150 °C、I_O = -5 A		85	107	mΩ
R_{DS(ONL_DUAL)}	双路 H 桥、低侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = 5 A		50	60	mΩ
		T_J = 125 °C、I_O = 5 A		72	90	mΩ
		T_J = 150 °C、I_O = 5 A		80	100	mΩ
R_{DS(ONH_SINGLE)}	单路 H 桥、高侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = -5 A		25	30	mΩ
		T_J = 125 °C、I_O = -5 A		38	47	mΩ
		T_J = 150 °C、I_O = -5 A		43	54	mΩ
R_{DS(ONL_SINGLE)}	单路 H 桥、低侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = 5 A		25	30	mΩ
		T_J = 125 °C、I_O = 5 A		36	45	mΩ
		T_J = 150 °C、I_O = 5 A		40	50	mΩ
I_LEAK	输出漏电流至 GND	睡眠模式，H 桥处于高阻态，V_VM = 60V			300	μA
t_RF	输出上升/下降时间	I_O = 5A，介于 10% 和 90% 之间		110		ns
t_D	输出死区时间	VM = 24V，I_O = 5A		300		ns
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
A_IPROPI	电流镜增益			212		μA/A
A_ERR	电流镜比例误差	10% 至 20% 额定电流	-12		12	%
		20% 至 40% 额定电流	-7		7
		40% 至 100% 额定电流	-4		4
I_VREF	VREF 漏电流	VREF = 3.3V			30	nA
t_OFF	PWM 关断时间	TOFF = 0		7		μs
		TOFF = 1		16
		TOFF = Hi-Z		24
		TOFF = 330kΩ 至 GND		32
t_DEG	电流调节抗尖峰脉冲时间			0.5		μs
t_BLK	电流调节消隐时间			1.5		μs
保护电路
V_UVLO	VM UVLO 锁定	VM 下降	4.1	4.25	4.35	V
V_UVLO	VM UVLO 锁定	VM 上升	4.2	4.35	4.45	V
VCC_UVLO	VCC UVLO 锁定	VCC 下降	2.7	2.8	2.9	V
VCC_UVLO	VCC UVLO 锁定	VCC 上升	2.8	2.9	3.05	V
V_UVLO,HYS	欠压迟滞	上升至下降阈值		100		mV
V_CPUV	电荷泵欠压	VCP 下降		V_VM + 2		V
I_OCP	过流保护	双路 H 桥，流经任何 FET 的电流	8			A
I_OCP	过流保护	单路 H 桥，流经任何 FET 的电流	16			A
t_OCP	过流检测延迟			2.1		μs
t_RETRY	过流重试时间			4.1		ms
T_OTSD	热关断	内核温度 T_J	150	165	180	°C
T_{HYS_OTSD}	热关断迟滞	内核温度 T_J		20		°C

(1)

受设计保证。

图 5-1 IPROPI 时序图