ZHCSLX9B July   2023  – October 2024 DRV8262

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
      1. 5.4.1 瞬态热阻抗和电流能力
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1  概述
    2. 6.2  功能方框图
    3. 6.3  特性说明
    4. 6.4  器件运行模式
      1. 6.4.1 双路 H 桥模式 (MODE1 = 0)
      2. 6.4.2 单路 H 桥模式 (MODE1 = 1)
    5. 6.5  电流检测和调节
      1. 6.5.1 电流检测和反馈
      2. 6.5.2 电流调节
        1. 6.5.2.1 混合衰减
        2. 6.5.2.2 智能调优动态衰减
      3. 6.5.3 使用外部电阻器进行电流检测
    6. 6.6  电荷泵
    7. 6.7  线性稳压器
    8. 6.8  VCC 电压电源
    9. 6.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
    10. 6.10 保护电路
      1. 6.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 6.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 6.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 6.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 输出
      7. 6.10.7 故障条件汇总
    11. 6.11 器件功能模式
      1. 6.11.1 睡眠模式
      2. 6.11.2 工作模式
      3. 6.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 6.11.4 功能模式汇总
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动有刷直流电机
        1. 7.1.1.1 有刷直流电机驱动器典型应用
        2. 7.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥
        3. 7.1.1.3 功率损耗计算 - 单路 H 桥
        4. 7.1.1.4 结温估算
        5. 7.1.1.5 应用性能曲线图
      2. 7.1.2 驱动步进电机
        1. 7.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 7.1.2.2 功率损耗计算
        3. 7.1.2.3 结温估算
      3. 7.1.3 驱动热电冷却器 (TEC)
    2. 7.2 电源相关建议
      1. 7.2.1 大容量电容
      2. 7.2.2 电源
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
      2. 7.3.2 布局示例
  9. 封装散热注意事项
    1. 8.1 DDW 封装
      1. 8.1.1 热性能
        1. 8.1.1.1 稳态热性能
        2. 8.1.1.2 瞬态热性能
    2. 8.2 DDV 封装
    3. 8.3 PCB 材料推荐
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

概述

DRV8262 是一款 H 桥电机驱动器,工作电压范围为 4.5V 至 60V 并支持高达 32A 的峰值电机电流,适用于各种类型的电机和负载。该器件集成了两个 H 桥输出功率级来驱动两个有刷直流电机。可以将 H 桥并联,以便为单个有刷直流电机提供更高的电流。H 桥的数量和运行接口通过 MODE1和 MODE2 引脚设置进行选择。

该器件集成了电荷泵,能够以 100% 占空比高效驱动高侧 N 沟道 MOSFET。该器件可由单一电源输入 (VM) 供电。另外,VCC 引脚可连接至第二个电源,为内部逻辑块供电。nSLEEP 引脚提供了一种超低功耗模式,可以在系统不活动期间尽可能地减少电流消耗。

该器件采用两种封装,一种为 44 引脚 HTSSOP (DDW) 封装,封装底部有外露焊盘;另一种为 44 引脚 HTSSOP (DDV) 封装,封装顶部有外露焊盘。在双路 H 桥模式下,DDW 封装为每路输出提供高达 8A 的峰值电流;DDV 封装为每路输出提供高达 16A 的峰值电流。在单路 H 桥模式下,DDW 和 DDV 封装分别提供高达 16A 和 32A 的峰值电流。可以提供的实际电流取决于环境温度、电源电压和 PCB 热设计。

该器件集成了电流检测输出。IPROPI 引脚提供一个小电流,该电流与高侧 MOSFET 中的电流成正比。可以使用外部电阻器 (RIPROPI) 将 IPROPI 引脚处的电流转换为比例电压。集成的电流检测功能使 DRV8262 能够利用一个关断时间固定的 PWM 斩波方案来限制输出电流,并为外部控制器提供负载信息以检测负载或失速条件的变化。在 40% 至 100% 的额定电流下,IPROPI 输出的检测精度为 ±4%。如果需要更高精度的检测,也可以连接外部功率检测电阻。在运行期间,可以通过 VREF 引脚来配置电流调节电平,从而根据系统的需求限制负载电流。

各种集成保护特性将在出现系统故障时保护器件。这些保护功能包括欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV)、过流保护 (OCP) 和过热关断 (OTSD)。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。