ZHCSVR5 March   2023 DRV8329-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 2pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 3x PWM 模式
        2. 7.3.1.2 器件硬件接口
        3. 7.3.1.3 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.3.1 传播延迟
          2. 7.3.1.3.2 死区时间和跨导保护
      2. 7.3.2 AVDD 线性稳压器
      3. 7.3.3 引脚图
      4. 7.3.4 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.4.1 电流检测工作原理
      5. 7.3.5 栅极驱动器关断序列 (DRVOFF)
      6. 7.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.6.1 PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        2. 7.3.6.2 AVDD 上电复位 (AVDD_POR)
        3. 7.3.6.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.6.4 BST 欠压锁定 (BST_UV)
        5. 7.3.6.5 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        6. 7.3.6.6 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        7. 7.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 工作模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（nSLEEP 复位脉冲）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 8.2.1.1 详细设计过程
          1. 8.2.1.1.1  电机电压
          2. 8.2.1.1.2  自举电容器和 GVDD 电容器选型
          3. 8.2.1.1.3  栅极驱动电流
          4. 8.2.1.1.4  栅极电阻器选型
          5. 8.2.1.1.5  大功率设计中的系统注意事项
            1. 8.2.1.1.5.1 电容器电压等级
            2. 8.2.1.1.5.2 外部功率级元件
            3. 8.2.1.1.5.3 并行 MOSFET 配置
          6. 8.2.1.1.6  死区时间电阻器选型
          7. 8.2.1.1.7  VDSLVL 选择
          8. 8.2.1.1.8  AVDD 功率损耗
          9. 8.2.1.1.9  电流检测和输出滤波
          10. 8.2.1.1.10 功率损耗和结温损耗
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 散热注意事项
        1. 8.4.2.1 功率耗散
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 相关链接
    4. 9.4 接收文档更新通知
    5. 9.5 社区资源
    6. 9.6 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.6 栅极驱动器保护电路

DRV8329-Q1 针对 PVDD 欠压和过压、AVDD 上电复位、自举欠压、GVDD 欠压、MOSFET VDS 和 VSENSE 过流事件提供了保护功能。

表 7-5 故障操作和响应
故障条件配置报告栅极驱动器逻辑恢复
PVDD 欠压
(PVDD_UV)		VPVDD < VPVDD_UV-nFAULT禁用1禁用自动：
VPVDD > VPVDD_UV
AVDD POR
(AVDD_POR)		VAVDD < VAVDD_POR-nFAULT禁用1禁用自动：
VAVDD > VAVDD_POR
GVDD 欠压
(GVDD_UV)		VGVDD < VGVDD_UV-nFAULT拉至低电平 2运行锁存：
nSLEEP 复位脉冲
BSTx 欠压
(BST_UV)		VBSTx - VSHx < VBST_UV 和 INHx = 高电平-nFAULT拉至低电平 2运行锁存：
nSLEEP 复位脉冲
VDS 过流
(VDS_OCP)		VDS > VDS_LVL0.1V < VVDSLVL < 2.5VnFAULT拉至低电平 2运行锁存：
nSLEEP 复位脉冲
VDSLVL 引脚 100kΩ 连接至 GVDD无运行运行无操作
VSENSE 过流
(SEN_OCP)		VSP > VSENSE_LVL-nFAULT拉至低电平 2运行锁存：
nSLEEP 复位脉冲
VDSLVL 引脚 100kΩ 连接至 GVDD无运行运行无操作
热关断
(OTSD)		TJ > TOTSD-nFAULT拉至低电平 2运行锁存：
nSLEEP 复位脉冲
  1. 禁用：对于 GLx 为无源下拉，对于 GHx 为半有源下拉
  2. 拉至低电平：栅极驱动器主动将 GHx 和 GLx 拉至低电平
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