ZHCSVR5 March 2023 DRV8329-Q1
PRODUCTION DATA
如果电机需要更高的 MOSFET 持续漏极电流额定值，则可以使用并联 MOSFET 以提供更高的电流能力。但是，这需要特殊的原理图和布局设计要求来同时开关两个 MOSFET，因为由于工艺差异，一个 MOSFET 的导通速度可能比另一个 MOSFET 快。
建议将 MOSFET 尽可能彼此靠近放置，同时使用一个公共的栅极信号，并在尽可能靠近 MOSFET 栅极处进行拆分。如果需要栅极电阻，则计算等效额定 MOSFET 所需的等效电阻，并将栅极电阻器尽可能靠近 MOSFET 栅极输入端放置，以抑制到栅极驱动器的任何耦合问题。
更多相关信息，请查看驱动并联 MOSFET 应用简报。