栅极驱动器器件采用适用于高侧和低侧驱动器的互补推挽拓扑。该拓扑允许对外部 MOSFET 栅极进行强上拉和强下拉。低侧栅极驱动器由 GVDD 稳压器电源直接供电。GVDD 的工作模式取决于 PVDD 的电压。当 PVDD > 18V 时，GVDD 电压由 LDO 生成，而 PVDD < 18V 时，GVDD 电压由电荷泵生成。对于高侧栅极驱动器，自举二极管和电容器用于生成浮动高侧栅极电压电源。器件中集成了自举二极管，并在 BSTx 引脚上使用了一个外部自举电容器。为支持 100% 占空比控制，器件中集成了一个涓流电荷泵。涓流电荷泵连接到 BSTx 节点，以防止由于驱动器和外部 MOSFET 的漏电流而导致压降。

高侧栅极驱动器具有半有源下拉功能，而低侧栅极驱动器具有无源下拉功能，有助于防止外部 MOSFET 在睡眠状态或电源断开时导通。

图 7-3 栅极驱动器方框图