ZHCSVR5 March   2023 DRV8329-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 2pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 3x PWM 模式
        2. 7.3.1.2 器件硬件接口
        3. 7.3.1.3 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.3.1 传播延迟
          2. 7.3.1.3.2 死区时间和跨导保护
      2. 7.3.2 AVDD 线性稳压器
      3. 7.3.3 引脚图
      4. 7.3.4 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.4.1 电流检测工作原理
      5. 7.3.5 栅极驱动器关断序列 (DRVOFF)
      6. 7.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.6.1 PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        2. 7.3.6.2 AVDD 上电复位 (AVDD_POR)
        3. 7.3.6.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.6.4 BST 欠压锁定 (BST_UV)
        5. 7.3.6.5 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        6. 7.3.6.6 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        7. 7.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 工作模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（nSLEEP 复位脉冲）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 8.2.1.1 详细设计过程
          1. 8.2.1.1.1  电机电压
          2. 8.2.1.1.2  自举电容器和 GVDD 电容器选型
          3. 8.2.1.1.3  栅极驱动电流
          4. 8.2.1.1.4  栅极电阻器选型
          5. 8.2.1.1.5  大功率设计中的系统注意事项
            1. 8.2.1.1.5.1 电容器电压等级
            2. 8.2.1.1.5.2 外部功率级元件
            3. 8.2.1.1.5.3 并行 MOSFET 配置
          6. 8.2.1.1.6  死区时间电阻器选型
          7. 8.2.1.1.7  VDSLVL 选择
          8. 8.2.1.1.8  AVDD 功率损耗
          9. 8.2.1.1.9  电流检测和输出滤波
          10. 8.2.1.1.10 功率损耗和结温损耗
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 散热注意事项
        1. 8.4.2.1 功率耗散
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 相关链接
    4. 9.4 接收文档更新通知
    5. 9.5 社区资源
    6. 9.6 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.2.1.1.6 死区时间电阻器选型

在 DRV8329-Q1 中，可以通过从 DT 引脚到地的电阻器 (RDT) 插入死区时间，如图 8-6 所示。当 RDT 从 DT 引脚连接到 GND 时，DRV8329-Q1 中的死区时间范围为 100ns 至 2000ns。可以使用电阻值的线性插值来设置适当的死区时间。

GUID-FD803792-9BEF-40DA-9DA6-C04F0F7BC06C-low.svg图 8-6 死区时间电阻器

死区时间（以纳秒为单位）可根据方程式 1 中的死区时间电阻来计算得出。

死区时间也可通过 MCU 生成的 PWM 输入来实现。如果在 PWM 输入和 DRV8329-Q1 处插入死区时间，则驱动器输出的 PWM 死区时间是这两个死区时间中的较大者。例如，如果在 MCU 输入处插入 200ns 死区时间，并通过 DT 引脚在 DRV8329-Q1 处插入 50ns 死区时间，则输出驱动器的 PWM 死区时间将为 200ns。
千亿体育app官网登录(中国)官方网站IOS/安卓通用版/手机APP | 米乐app下载官网（中国）|ios|Android/通用版APP最新版 | 米乐|米乐·M6（中国大陆）官方网站 | 千亿体育登陆地址 | 华体会体育（中国）HTH·官方网站 | 千赢qy国际_全站最新版千赢qy国际V6.2.14安卓/IOS下载 | 18新利网v1.2.5|中国官方网站 | bob电竞真人（中国官网）安卓/ios苹果/电脑版【1.97.95版下载】 | 千亿体育app官方下载(中国)官方网站IOS/安卓/手机APP下载安装 |