ZHCSVR5 March   2023 DRV8329-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 2pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 3x PWM 模式
        2. 7.3.1.2 器件硬件接口
        3. 7.3.1.3 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.3.1 传播延迟
          2. 7.3.1.3.2 死区时间和跨导保护
      2. 7.3.2 AVDD 线性稳压器
      3. 7.3.3 引脚图
      4. 7.3.4 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.4.1 电流检测工作原理
      5. 7.3.5 栅极驱动器关断序列 (DRVOFF)
      6. 7.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.6.1 PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        2. 7.3.6.2 AVDD 上电复位 (AVDD_POR)
        3. 7.3.6.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.6.4 BST 欠压锁定 (BST_UV)
        5. 7.3.6.5 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        6. 7.3.6.6 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        7. 7.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 工作模式
        3. 7.4.1.3 故障复位(nSLEEP 复位脉冲)
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 8.2.1.1 详细设计过程
          1. 8.2.1.1.1  电机电压
          2. 8.2.1.1.2  自举电容器和 GVDD 电容器选型
          3. 8.2.1.1.3  栅极驱动电流
          4. 8.2.1.1.4  栅极电阻器选型
          5. 8.2.1.1.5  大功率设计中的系统注意事项
            1. 8.2.1.1.5.1 电容器电压等级
            2. 8.2.1.1.5.2 外部功率级元件
            3. 8.2.1.1.5.3 并行 MOSFET 配置
          6. 8.2.1.1.6  死区时间电阻器选型
          7. 8.2.1.1.7  VDSLVL 选择
          8. 8.2.1.1.8  AVDD 功率损耗
          9. 8.2.1.1.9  电流检测和输出滤波
          10. 8.2.1.1.10 功率损耗和结温损耗
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 散热注意事项
        1. 8.4.2.1 功率耗散
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 相关链接
    4. 9.4 接收文档更新通知
    5. 9.5 社区资源
    6. 9.6 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
VDSLVL 选择

VDSLVL 是一个模拟电压,用于直接设置用于过流保护的 VDS 过流阈值。它可以直接从模拟电压源(如数模转换器)获得,也可以从电压轨(如 AVDD 的电阻分压器)中分压获得,如图 8-7 所示。

GUID-A17A2393-DBA0-4A15-A19B-ED9AF2DC9A5F-low.svg图 8-7 使用电阻分压器从电压轨设置 VDSLVL

方程式 10方程式 11 可用于使用电阻分压器通过电压源设置所需的 VDSLVL 电压,以在给定所用 MOSFET 的 RDS,on 的情况下建立过流限制:

方程式 10. VVDSLVL=IOC×Rds(on)
方程式 11. R1R2=VinVVDSLVL-1

其中:

  • VVDSLVL = VDSLVL 电压

  • IOCP = VDS 过流限制

  • RDS,on = MOSFET 导通电阻

  • VIN = VDSLVL 分压器的电压源

  • R1/R2 = 用于设置 VDSLVL 的电阻比

例如,如果使用 AVDD 的电阻分压器来设置 30A 的过流跳变阈值并且 MOSFET RDS(ON) = 10mΩ,则 VDSLVL = 0.3V。

在某些应用中,直接驱动电机电源的电池电压 (VBAT) 和为 DRV8329-Q1 供电的 PVDD 电压之间会存在差异。由于高侧 VDS 监控以 PVDD-SHx 为基准,因此需要适当地选择 VDSLVL 以适应 VBAT 和 PVDD 的差异。

如果 PVDD 和 VDSLVL 之间存在差异,则方程式 12 有助于选择合适的 VDSLVL:

方程式 12. VDSLVL=(VBAT-PVDD)+IOC*RDS(ON)

例如,如果 VBAT = 24.0V、PVDD = 23.3V、Rdson = 10mΩ 且 I_OC = 30A,则 VDSLVL 应等于 1.0V,以便检测高侧 FET 上的 30A 过流事件和低侧 FET 上的 100A 过流事件。