在开启或关闭功率 MOSFET 栅极以开关电机电流时，选择合适的栅极驱动电流至关重要。MOSFET 的栅极驱动电流和输入电容的大小决定了漏源电压压摆率 (V_DS)。栅极驱动电流可从 GVDD 流入 MOSFET 栅极 (I_SOURCE) 或从 MOSFET 栅极流入 SHx 或 LSS (I_SINK)。

使用过高的栅极驱动电流会造成 MOSFET 导通过快，这可能会导致过度振铃、dV/dt 耦合或开关大电流引起的跨导。如果系统中存在寄生电感和电容，则可能会出现电压尖峰或振铃，这可能会损坏 MOSFET 或 DRV8329-Q1 器件。

图 8-2 高栅极驱动电流的影响

另一方面，使用过低的栅极驱动电流会导致较慢的 V_DS 压摆率。由于 R_DS,on 开关损耗，MOSFET 的导通速度太慢可能会使 MOSFET 升温。

栅极驱动电流 I_GATE、MOSFET 栅漏电荷 Q_GD 和 V_DS 压摆率开关时间 t_rise,fall 之间的关系如以下公式所示：

建议在较低的栅极驱动电流下进行评估并增加栅极驱动电流设置，避免在初始评估期间因意外操作而造成损坏。