5 引脚配置和功能

图 5-1 DRV8329 RGF 封装40 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图

表 5-1 引脚功能 - 40 引脚 DRV8329-Q1 器件

名称	引脚编号	类型⁽¹⁾	说明
名称	DRV8329	类型⁽¹⁾	说明
NC	1	—	无连接。
NC	2	—	无连接。
NC	3	—	无连接。
GND	4	PWR	器件接地。有关连接的建议，请参阅节 8.4.1。
PVDD	5	PWR	栅极驱动器电源输入。连接到电桥电源。在 PVDD 和 GND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压 >2x PVDD、容值 >10uF 的陶瓷局部电容器。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。
NC	6	—	无连接。
CPL	7	PWR	电荷泵开关节点。在 CPH 引脚和 CPL 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。
CPH	8	PWR
GVDD	9	PWR-O	栅极驱动器电源输出。在 GVDD 和 GND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、额定电压为 30V、容值 ≥ 10uF 的陶瓷局部电容器。TI 建议使用 >10x C_BSTx 的电容值和至少两倍于引脚正常工作电压的额定电压。
BSTA	10	O	自举输出引脚。在 BSTA 和 SHA 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器
SHA	11	I/O	高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
GHA	12	O	高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLA	13	O	低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
BSTB	14	O	自举输出引脚。在 BSTB 和 SHB 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。
SHB	15	I/O	高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
GHB	16	O	高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLB	17	O	低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
BSTC	18	O	自举输出引脚。在 BSTC 和 SHC 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。
SHC	19	I/O	高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
GHC	20	O	高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLC	21	O	低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
LSS	22	PWR	低侧源极引脚，连接此处外部低侧 MOSFET 的所有源极。该引脚是低侧栅极驱动器的灌电流路径，并用作监测低侧 MOSFET VDS 电压和 VSEN_OCP 电压的输入。
SP	23	I	电流分流放大器输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。
SN	24	I	电流检测放大器输入。连接到电流分流电阻的低侧。
DRVOFF	25	I	独立驱动器关断路径。通过将栅极驱动器置于下拉状态，将 DRVOFF 拉高可关断所有外部 MOSFET。该信号绕过并覆盖 DRV8329 的数字内核。
AGND	26	PWR	器件模拟接地。有关连接的建议，请参阅节 8.4.1。
AVDD	27	PWR-O	3.3V 稳压器输出。在 AVDD 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、>6.3V 的陶瓷电容器。该稳压器可从外部拉取高达 80mA 的电流。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。
INHC	28	I	C 相的高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧 FET 的输出。
INHB	29	I	B 相的高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧 FET 的输出。
INHA	30	I	A 相的高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧 FET 的输出。
INLC	31	I	C 相的低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧 FET 的输出。
INLB	32	I	B 相的低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧 FET 的输出。
INLA	33	I	A 相的低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧 FET 的输出。
CSAGAIN	34	I	电流检测放大器的增益设置。该引脚是由外部电阻器设置的 4 电平输入引脚。有关更多信息，请参阅节 7.3.4。
nSLEEP	35	I	睡眠模式进入引脚。当该引脚被拉至逻辑低电平时，器件进入低功耗睡眠模式。可以使用一个 1µs 至 1.2µs 的低电平脉冲来复位故障条件，而不进入睡眠模式。
nFAULT	36	OD	故障指示灯输出。该引脚在发生故障期间被拉至逻辑低电平，并且需要使用一个连接到 3.3V 至 5.0V 电压的外部上拉电阻器。
VDSLVL	37	I	VDS 监测跳闸点设置。连接 0.1V 至 2.5V 的模拟电平输入，以便设置 VDS 监测跳闸点，从而实现 MOSFET 过流保护。有关更多信息，请参阅节 8.2.1.1.7。
CSAREF	38	I	电流检测放大器基准。在 CSAREF 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、6.3V 的陶瓷电容器。
SO	39	O	电流检测放大器输出。支持容性负载或低通滤波器（串联电阻器和电容器至 AGND）
DT	40	I	栅极驱动器死区时间设置。在 DT 和 AGND 之间连接一个值介于 10kΩ 与 390kΩ 之间的电阻，以在 100ns 至 2000ns 之间调节死区时间。如果引脚悬空或连接到 AGND，则会插入固定为 55ns 的死区时间。
散热焊盘		PWR	必须连接到 GND

(1) PWR = 电源，I = 输入，O = 输出，NC = 无连接，OD = 开漏输出