ZHCSVR5 March   2023 DRV8329-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 2pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 3x PWM 模式
        2. 7.3.1.2 器件硬件接口
        3. 7.3.1.3 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.3.1 传播延迟
          2. 7.3.1.3.2 死区时间和跨导保护
      2. 7.3.2 AVDD 线性稳压器
      3. 7.3.3 引脚图
      4. 7.3.4 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.4.1 电流检测工作原理
      5. 7.3.5 栅极驱动器关断序列 (DRVOFF)
      6. 7.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.6.1 PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        2. 7.3.6.2 AVDD 上电复位 (AVDD_POR)
        3. 7.3.6.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.6.4 BST 欠压锁定 (BST_UV)
        5. 7.3.6.5 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        6. 7.3.6.6 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        7. 7.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 工作模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（nSLEEP 复位脉冲）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 8.2.1.1 详细设计过程
          1. 8.2.1.1.1  电机电压
          2. 8.2.1.1.2  自举电容器和 GVDD 电容器选型
          3. 8.2.1.1.3  栅极驱动电流
          4. 8.2.1.1.4  栅极电阻器选型
          5. 8.2.1.1.5  大功率设计中的系统注意事项
            1. 8.2.1.1.5.1 电容器电压等级
            2. 8.2.1.1.5.2 外部功率级元件
            3. 8.2.1.1.5.3 并行 MOSFET 配置
          6. 8.2.1.1.6  死区时间电阻器选型
          7. 8.2.1.1.7  VDSLVL 选择
          8. 8.2.1.1.8  AVDD 功率损耗
          9. 8.2.1.1.9  电流检测和输出滤波
          10. 8.2.1.1.10 功率损耗和结温损耗
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 散热注意事项
        1. 8.4.2.1 功率耗散
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 相关链接
    4. 9.4 接收文档更新通知
    5. 9.5 社区资源
    6. 9.6 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

4.5V ≤ VPVDD ≤ 60V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。典型限值适用于 TA = 25°C、VPVDD = 24V
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（AVDD、PVDD、GVDD）
IPVDDQ PVDD 睡眠模式电流 VPVDD = 24V，nSLEEP = 0，TA = 25°C 1 µA
nSLEEP = 低电平 2 µA
IPVDDS PVDD 待机模式电流 VPVDD = 24V；nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 低电平，DRVOFF = 高电平 2 4 mA
 nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 低电平，DRVOFF = 高电平 3 5.5 mA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 24V，nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 开关频率为 20kHz，未连接 FET 4 7 mA
nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 开关频率为 20kHz，未连接 FET 5 10 mA
VPVDD = 8V，nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 低电平，未连接 FET 5 10 mA
VPVDD = 24V，nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 低电平，未连接 FET 5 7 mA
ILBSx 自举引脚漏电流 VBSTx = VSHx = 60V，VGVDD = 0V，nSLEEP = 低电平 5 10 16 µA
ILBS_TRAN 自举引脚运行模式瞬态漏电流  INLx = INHx = 开关频率为 20kHz，未连接 FET 60 115 300 µA
ILBS_DC_SRC 自举引脚运行模式静态泄漏拉电流 INHx = 高电平，INLx = 低电平，INLy = INLz = 高电平，nSLEEP = 高电平，VPVDD = VSHX = VGVDD = 12V，VBSTx - VSHx = 5V 135 200 280 µA
INHx = 高电平，INLx = 低电平，INLy = INLz = 高电平，nSLEEP = 高电平，VPVDD = VSHX = VGVDD = 12V，VBSTx - VSHx = 7V 70 105 145 µA
INHx = 低电平，INLx = 低电平，INLy = INLz = 高电平，nSLEEP = 高电平，VPVDD = VSHX = VGVDD = 12V，VBSTx - VSHx = 5V 25 50 90 µA
INHx = 低电平，INLx = 低电平，INLy = INLz = 高电平，nSLEEP = 高电平，VPVDD = VSHX = VGVDD = 12V，VBSTx - VSHx = 7V 16 28 50 µA
ILBS_DC_SINK 自举引脚运行模式静态泄漏灌电流 INHx = 低电平，INLx = 低电平，INLy = INLz = 高电平，nSLEEP = 高电平，VPVDD = VSHX = VGVDD = 12V，VBSTx - VSHx = 12V 10 40 90 µA
INHx = 高电平，INLx = 低电平，INLy = INLz = 高电平，nSLEEP = 高电平，VPVDD = VSHX = VGVDD = 12V，VBSTx - VSHx = 12V 14 45 91 µA
ILSHx 源极引脚漏电流  INHx = INLx = 低电平，VBSTx - VSHx = 15V，VSHx = 0V 至 60V，nSLEEP = 高电平，DRVOFF = 低电平 80 145 210 µA
INHx = INLx = 低电平，VBSTx - VSHx = 11V，VSHx = 0V 至 60V，nSLEEP = 高电平，DRVOFF = 低电平 15 20 30 µA
INHx = 高电平，INLx = 低电平，VBSTx - VSHx = 15V，VSHx = 0V 至 60V，nSLEEP = 高电平，DRVOFF = 低电平 80 145 210 µA
INHx = 高电平，INLx = 低电平，VBSTx - VSHx = 11V，VSHx = 0V 至 60V，nSLEEP = 高电平，DRVOFF = 低电平 13 25 35 µA
tWAKE 导通时间 (nSLEEP) nSLEEP = 高电平至运行模式（输出就绪），DRVOFF = 低电平，CGVDD= 10uF，CBSTx = 1uF  1 2 ms
nSLEEP = 高电平至运行模式（输出就绪）。CGVDD = 100uF，CAVDD = 10uF，CBSTx = 10uF  10 15 ms
VPVDD = 12V，nSLEEP = 高电平至运行模式（输出就绪），DRVOFF = 低电平，CGVDD = 10uF 1 2 ms
导通时间 (DRVOFF) DRVOFF = 低电平至运行模式（输出就绪），nSLEEP = 高电平 0.05 0.1 ms
tSLEEP 关断时间 nSLEEP = 低电平至睡眠模式  20 us
tRST 最短复位脉冲时间 nSLEEP = 复位故障的低电平周期 1 1.2 us
VGVDD_RT GVDD 栅极驱动器稳压器电压（室温） VPVDD ≥ 40V，IGS = 10mA，TJ = 25°C 11.8 13 15 V
22V ≤ VPVDD ≤ 40V，IGS = 30mA，TJ = 25°C 11.8 13 15 V
8V ≤ VPVDD ≤ 22V，IGS = 30mA，TJ = 25°C 11.8 13 15 V
6.75V ≤ VPVDD ≤ 8V，IGS = 10mA，TJ = 25°C 11.8 13 14.5 V
4.5V ≤ VPVDD ≤ 6.75V，IGS = 10mA，TJ = 25°C 2*VPVDD - 1 13.5 V
VGVDD GVDD 栅极驱动器稳压器电压  VPVDD ≥ 40V，IGS = 10mA 11.5 15.5 V
22V ≤ VPVDD ≤ 40V，IGS = 30mA 11.5 15.5 V
8V ≤ VPVDD ≤ 22V，IGS = 30mA 11.5 15.5 V
6.75V ≤ VPVDD ≤ 8V，IGS = 10mA 11.5 14.5 V
4.5V ≤ VPVDD ≤ 6.75V，IGS = 10mA 2*VPVDD - 1.4 13.5 V
VAVDD_RT AVDD 模拟稳压器电压（室温） VPVDD ≥ 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 30mA，TJ = 25°C 3.26 3.3 3.33 V
VPVDD ≤ 6V，30mA ≤ IAVDD ≤ 80mA，TJ = 25°C 3.2 3.3 3.4 V
VPVDD ≤ 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 50mA，TJ = 25°C 3.13 3.3 3.46 V
VAVDD AVDD 模拟稳压器电压 VPVDD ≥ 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 80mA  3.2 3.3 3.4 V
VPVDD ≤ 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 50mA 3.125 3.3 3.5 V
逻辑电平输入（DRVOFF、INHx、INLx、nSLEEP 等）
VIL 输入逻辑低电平电压 DRVOFF  0.8 V
INLx、INHx 引脚 0.8 V
VIH 输入逻辑高电平电压 DRVOFF 2.2 V
INLx、INHx 引脚 2.2 V
VHYS 输入迟滞 DRVOFF 200 400 650 mV
INLx、INHx 引脚 45 240 350 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VPIN（引脚电压）= 0V； -1 0 1 µA
IIH 输入逻辑高电平电流 nSLEEP，VPIN（引脚电压）= 65V； 3 6.5 10 µA
nSLEEP，VPIN（引脚电压）= 5V； 3 6 10 µA
其他引脚，VPIN（引脚电压）= 5V； 7 20 35 µA
RPD_DRVOFF 输入下拉电阻 DRVOFF 至 GND 100 200 300 kΩ
RPD_nSLEEP 输入下拉电阻 nSLEEP 至 GND 500 800 1500 kΩ
RPD 输入下拉电阻 所有其他引脚至 GND 150 250 350 kΩ
四电平输入 (GAIN)
VL1 输入电平 1 电压 连接至 GND 0 0.18*AVDD V
VL2 输入电平 2 电压 50kΩ +/- 5% 连接至 GND 0.48*AVDD 0.5*AVDD 0.52*AVDD V
VL3 输入电平 3 电压 200kΩ +/- 5% 连接至 GND 0.82*AVDD 0.833*AVDD 0.85*AVDD V
VL4 输入电平 4 电压 高阻态或连接至 AVDD AVDD V
RPU 输入上拉电阻 GAIN 至 AVDD 80 100 120 kΩ
开漏输出（nFAULT 等）
VOL 输出逻辑低电平电压 IOD = 5mA 0.4 V
IOZ 输出逻辑高电平电流 VOD = 5V -1 1 µA
COD 输出电容 VOD = 5V 30 pF
栅极驱动器（GHx、GLx、SHx、SLx）
VGSHx_LO 高侧栅极驱动低电平电压 IGLx = -100mA，VGVDD = 12V，未连接 FET 0.05 0.11 0.24 V
VGSHx_HI 高侧栅极驱动高电平电压 (VBSTx - VGHx) IGHx = 100mA，VGVDD = 12V，未连接 FET 0.28 0.44 0.82 V
VGSLx_LO 低侧栅极驱动低电平电压 IGLx = -100mA，VGVDD = 12V，未连接 FET 0.05 0.11 0.27 V
VGSLx_HI 低侧栅极驱动高电平电压 (VGVDD - VGHx) IGHx = 100mA，VGVDD = 12V，未连接 FET 0.28 0.44 0.82 V
VGSH_100_PH 具有 100% 占空比的稳态高侧栅极驱动电压 (GHx - Shx) INHx = 高电平，INLx = 低电平，INLy = INLz = 高电平，VPVDD > 15V，VGVDD ≥ 11.5V 8.4 9.6 11.1 V
INHx = 高电平，INLx = 低电平，INLY = INLz = 高电平，VGVDD ≤ 11.5V 7.5 8.3 9 V
INHx = 高电平，INLx = 低电平，INLy = INLz = 高电平，7V ≥VGVDD ≥ 8V 5.7 6.5 7.6 V
RDS(ON)_PU_HS 高侧上拉开关电阻 IGHx = 100mA，VGVDD = 12V 2.7 4.5 8.4 Ω
RDS(ON)_PD_HS 高侧下拉开关电阻 IGHx = 100mA，VGVDD = 12V 0.2 1.1 2.4 Ω
RDS(ON)_PU_LS 低侧上拉开关电阻 IGLx = 100mA，VGVDD = 12V 2.7 4.5 8.3 Ω
RDS(ON)_PD_LS 低侧下拉开关电阻 IGLx = 100mA，VGVDD = 12V 0.2 1.1 2.8 Ω
IDRIVEP_HS 高侧峰值栅极拉电流 VGSHx = 12V 550 1000 1575 mA
IDRIVEN_HS 高侧峰值栅极灌电流 VGSHx = 0V 1150 2000 2675 mA
IDRIVEP_LS 低侧峰值栅极拉电流 VGSLx = 12V 550 1000 1575 mA
IDRIVEN_LS 低侧峰值栅极灌电流 VGSLx = 0V 1150 2000 2675 mA
RPD_LS 低侧无源下拉电阻 GLx 至 LSS 80 100 120 kΩ
RPDSA_HS 高侧半有源下拉电阻 GHx 至 SHx，VGSHx = 2V 8 10 12.5 kΩ
栅极驱动器时序
tPDR_LS 低侧上升传播延迟 INLx 至 GLx 上升，VGVDD > 8V 70 100 145 ns
tPDF_LS 低侧下降传播延迟 INLx 至 GLx 下降，VGVDD > 8V 70 100 135 ns
tPDR_HS 高侧上升传播延迟 INHx 至 GHx 上升，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V
 65 100 145 ns
tPDF_HS 高侧下降传播延迟 INHx 至 GHx 下降，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V
 70 100 140 ns
tPD_MATCH_PH 每相位的匹配传播延迟 GLx 开启至 GLx 关闭，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V，SHx = 0V 至 60V，GHx 和 GLx 上没有负载 -25 ±4 25 ns
GLx 关闭至 GHx 开启，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V，SHx = 0V 至 60V，GHx 和 GLx 上没有负载 -28 ±4 28 ns
GHx 开启至 GHx 关闭，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V，SHx = 0V 至 60V，GHx 和 GLx 上没有负载 -25 ±4 25 ns
GHx 关闭至 GLx 开启，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V，SHx = 0V 至 60V，GHx 和 GLx 上没有负载 -25 ±4 25 ns
tPD_MATCH_PH_PH 相间匹配传播延迟 GHx 开启至 GHy 开启，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V，SHx = 0V 至 60V，GHx 和 GLx 上没有负载 -10 ±4 10 ns
GLx 开启至 GLy 开启，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V，SHx = 0V 至 60V，GHx 和 GLx 上没有负载 -10 ±4 10 ns
GHx 关闭至 GHy 关闭，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V，SHx = 0V 至 60V，GHx 和 GLx 上没有负载 -15 ±4 15 ns
GLx 关闭至 GLy 关闭，VGVDD = VBSTx - VSHx > 8V，SHx = 0V 至 60V，GHx 和 GLx 上没有负载 -10 ±4 10 ns
tPW_MIN INHx、INLx 上改变 GHx、GLx 输出的最小输入脉冲宽度 18 32 45 ns
tDEAD 栅极驱动器死区时间可配置范围  50 2000 ns
tDEAD 栅极驱动器死区时间 DT 引脚悬空  35 55 90 ns
DT 引脚连接至 GND 25 55 80 ns
DT 引脚和 GND 之间连接 10kΩ 电阻 75 100 140 ns
DT 引脚和 GND 之间连接 390kΩ 电阻 1350 2000 2650 ns
自举二极管
VBOOTD 自举二极管正向电压 IBOOT = 100µA 0.8 V
IBOOT = 100mA 1.6 V
RBOOTD 自举动态电阻 (ΔVBOOTD/ΔIBOOT) IBOOT = 100mA 和 50mA 4.5 5.5 9 Ω
电流分流放大器（SNx、SOx、SPx、CSAREF）
ACSA 检测放大器增益  CSAGAIN = 连接至 GND 4.92 5 5.05 V/V
CSAGAIN = 50kΩ ±5% 连接至 GND 9.9 10 10.1 V/V
CSAGAIN = 200kΩ ±5% 连接至 GND 19.75 20 20.2 V/V
CSAGAIN = 高阻态； 39.6 40 40.6 V/V
ACSA_ERR 检测放大器增益误差 TJ = 25°C -1.5 1.5 %
ACSA_ERR_DRIFT 检测放大器增益误差温度漂移 -20 20 ppm/℃
NL 非线性误差 0.01 0.05 %
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 5V/V，CLOAD = 500pF 0.6 1 µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 10V/V，CLOAD = 500pF 0.6 1.1 µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 20V/V，CLOAD = 500pF 0.7 1.2 µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 40V/V，CLOAD = 500pF 0.8 1.7 µs
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 5V/V，CLOAD = 60pF 0.3 0.5 µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 10V/V，CLOAD = 60pF 0.3 0.5 µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 20V/V，CLOAD = 60pF 0.3 0.65 µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 40V/V，CLOAD = 60pF 0.3 0.8 µs
BW 带宽 ACSA = 5V/V，CLOAD = 60pF，小信号 -3dB 3 5 7 MHz
ACSA = 10V/V，CLOAD = 60pF，小信号 -3dB 2.5 4.8 6.6 MHz
ACSA = 20V/V，CLOAD = 60pF，小信号 -3dB 2 4 5.4 MHz
ACSA = 40V/V，CLOAD = 60pF，小信号 -3dB 1.75 3 4.2 MHz
tSR 输出压摆率 VSTEP = 1.6V，ACSA = 5V/V，CLOAD = 60pF，从低电平转换到高电平 12 V/µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 10V/V，CLOAD = 60pF，从低电平转换到高电平 13 V/µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 20V/V，CLOAD = 60pF，从低电平转换到高电平 11 V/µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 40V/V，CLOAD = 60pF，从低电平转换到高电平 11 V/µs
VSWING 输出电压范围 VCSAREF = 3  0.25 2.75 V
VSWING 输出电压范围 VCSAREF = 5.5 0.25 5.25 V
VSWING 输出电压范围 VCSAREF = 3V 至 5.5V  0.25 VCSAREF - 0.25 V
VCOM 共模输入范围 -0.15 0.15 V
VDIFF 差分模式输入范围 -0.3 0.3 V
VOFF 输入失调电压 VSP = VSN = GND，TJ = -40℃，CSA_VREF = 0 -2.0 2.0 mV
VOFF 输入失调电压 VSP = VSN = GND，TJ = 25℃，CSA_VREF = 0 -1.9 1.9 mV
VOFF 输入失调电压 VSP = VSN = GND，TJ = 175℃，CSA_VREF= 0 -2.0 2.0 mV
VOFF 输入失调电压 VSP = VSN = GND -2.0 2.0 mV
VOFF_DRIFT 输入漂移失调电压 VSP = VSN = GND 8 µV/℃
VBIAS 输出电压偏置比 VSP = VSN = GND 0.122 0.125 0.128 V
VBIAS_ACC 输出电压偏置比精度 VSP = VSN = GND -1.2 1.2 %
IBIAS 输入偏置电流 VSP = VSN = GND，VCSAREF = 3V 至 5.5V 100 µA
IBIAS_OFF 输入偏置电流失调 ISP – ISN -1 1 µA
ICSASRC SO 输出灌电流能力 5 7 11 mA
ICSASRC SO 输出拉电流能力 2 3.7 6.6 mA
CMRR 共模抑制比 直流 80 dB
20kHz 65 dB
PSRR 电源抑制比 (CSAREF) CSAREF 至 SOx，直流，差分 80 dB
CSAREF 至 SOx，20kHz，差分 70 dB
PSRR 电源抑制比 (CSAREF) CSAREF 至 SOx，20kHz，单端 40 dB
ICSA_SUP CSA 的电源电流 VCSAREF = 3V 至 5.5V 1.5 2.1 mA
TCMREC 共模恢复时间 0.6 0.7 us
CLOAD 最大负载电容 10 nF
VOFF_OUT 输出失调电压误差  ACSA = 5V/V -3 3 mV
ACSA = 10V/V -4 4 mV
ACSA = 20V/V -5 5 mV
ACSA = 40V/V -6 6 mV
保护电路
VPVDD_UV PVDD 欠压锁定阈值 VPVDD 上升 4.3 4.4 4.5 V
VPVDD 下降 4 4.1 4.25
VPVDD_UV_HYS PVDD 欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 225 265 325 mV
tPVDD_UV_DG PVDD 欠压抗尖峰脉冲时间 10 20 30 µs
VAVDD_POR AVDD 电源 POR 阈值 AVDD 上升 2.7 2.85 3.0 V
AVDD 下降 2.5 2.65 2.8
VAVDD_POR_HYS AVDD POR 迟滞 上升至下降阈值 170 200 250 mV
tAVDD_POR_DG AVDD POR 抗尖峰脉冲时间 7 12 22 µs
VGVDD_UV GVDD 欠压阈值 VGVDD 上升 7.3 7.5 7.8 V
VGVDD 下降 6.4 6.7 6.9 V
VGVDD_UV_HYS GVDD 欠压迟滞 上升至下降阈值 800 900 1000 mV
tGVDD_UV_DG GVDD 欠压抗尖峰脉冲时间 5 10 15 µs
VBST_UV 自举欠压阈值 VBSTx - VSHx，VBSTx 上升 3.9 4.45 5 V
VBSTx - VSHx，VBSTx 下降 3.7 4.2 4.8 V
VBST_UV_HYS 自举欠压迟滞 上升至下降阈值 150 220 285 mV
tBST_UV_DG 自举欠压抗尖峰脉冲时间 2 4 6 µs
VDS_LVL_RNG VDS 过流保护阈值线性范围  0.1 2.5 V
VDS_DIS VDS 过流保护禁用电阻  VDSLVL 引脚至 GVDD 70 100 500 kΩ
VDS_LVL VDS 过流保护阈值基准 VDSLVL = 100kΩ 至 GVDD 3 4.2 5.5 V
VDSLVL = 0.1V 0.065 0.1 0.145 V
VDSLVL 引脚 = 2.5V 2.2 2.5 2.8
VSENSE_LVL VSENSE 过流保护阈值 LSS 至 GND 引脚 = 0.5V 0.48 0.5 0.52 V
tDS_BLK VDS 过流保护消隐时间  0.5 1 2.7 µs
tDS_DG VDS 和 VSENSE 过流保护抗尖峰脉冲时间  1.5 3 5 µs
tSD_SINK_DIG DRVOFF 峰值灌电流持续时间 3 5 7 µs
tSD_DIG DRVOFF 数字关断延迟 0.5 1.5 2.2 µs
tSD DRVOFF 模拟关断延迟 7 14 21 µs
TOTSD 热关断温度 TJ 上升；   160 170 187 °C
THYS 热关断迟滞 16 20 23 °C
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