IDRIVE 元件实现了可调节的栅极驱动电流来控制 MOSFET V_DS 压摆率。MOSFET V_DS 压摆率是优化辐射发射、二极管恢复尖峰的能量和持续时间、导致击穿的 dV/dt 栅极导通以及与外部半桥中寄生效应相关的开关电压瞬态的关键因素。IDRIVE 的工作原理是，MOSFET V_DS 压摆率主要取决于 MOSFET Q_GD 或米勒充电区域中提供的栅极电荷（或栅极电流）的速率。通过让栅极驱动器调节栅极电流，可以有效地控制外部功率 MOSFET 的压摆率。

IDRIVE 允许 DRV835xF 系列器件通过 SPI 器件上的寄存器设置或硬件接口器件上的 IDRIVE 引脚在栅极驱动电流之间动态切换。SPI 器件提供 16 种 I_DRIVE 设置，范围介于 50mA 至 1A 拉电流和 100mA 至 2A 灌电流之间。硬件接口器件提供 7 种介于相同范围之间的 I_DRIVE 设置。栅极驱动电流设置值在 t_DRIVE 持续时间内开启和关闭外部功率 MOSFET 期间传送到栅极。在 MOSFET 开启或关闭后，栅极驱动器切换至较小的保持 I_HOLD 电流，以提高栅极驱动器的效率。Topic Link Label8.6（对于 SPI 器件）和Topic Link Label8.3.3 （对于硬件接口器件）介绍了有关 IDRIVE 设置的其他详细信息。