DRV835xF 系列器件集成了三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。VCP 倍增电荷泵可在宽工作电压范围内为高侧 MOSFET 提供正确的栅极偏置电压，此外还提供 100% 占空比支持。内部 VGLS 线性稳压器为低侧 MOSFET 提供栅极偏置电压。可以组合使用多个半桥栅极驱动器来驱动三相电机，也可以单独使用这些驱动器来驱动其他类型的负载。

DRV835xF 系列器件实现了智能栅极驱动架构，使用户能够动态调整栅极驱动电流，而无需外部栅极限流电阻器。此外，该架构为外部 MOSFET 提供了多种保护功能，包括自动死区时间插入、寄生 dV/dt 栅极导通预防和栅极故障检测。