DRV835xF 系列器件均为集成式 100V 栅极驱动器，适用于三相电机驱动应用。此类器件集成了三个独立的半桥栅极驱动器、用于提供高侧和低侧栅极驱动器电源电压的电荷泵和线性稳压器以及可选的三个电流分流放大器，可减少系统元件数量并降低系统成本和复杂性。标准的串行外设接口 (SPI) 提供了一种简单的方法，可通过外部控制器配置各种器件设置和读取故障诊断信息。或者，硬件接口 (H/W) 选项允许通过固定外部电阻器来配置常用的设置。

栅极驱动器支持外部 N 沟道高侧和低侧功率 MOSFET，可驱动高达 1A 的峰值拉电流、2A 的峰值灌电流和 25mA 的平均输出电流。高侧栅极驱动电源电压是使用倍增电荷泵架构产生的，该架构将 VCP 输出调节至 V_VDRAIN + 10.5V。使用 VM 电源的线性稳压器生成低侧栅极驱动电源电压，该稳压器将 VGLS 输出调节至 14.5V。VGLS 电源在 GLx 低侧栅极驱动器输出上进一步调节至 11V。智能栅极驱动架构具备动态调整输出栅极驱动电流强度的功能，使栅极驱动器能够控制功率 MOSFET V_DS 开关速度。这样一来便可以移除外部栅极驱动电阻器和二极管，从而减少 BOM 元件数量和 PCB 面积并降低成本。该架构还使用内部状态机来防止发生栅极驱动短路事件，控制半桥死区时间，并防止外部功率 MOSFET 发生 dV/dt 寄生导通。

栅极驱动器可以在单电源或双电源架构中运行。在单电源架构中，VM 可以连接到 VDRAIN 并在内部调节到正确的电源电压。在双电源架构中，VM 可以连接到来自更高效开关稳压器的较低电压电源，以提高器件效率。VDRAIN 一直连接到外部 MOSFET 以设置正确的电荷泵和过流监测基准。

DRV8353F 器件集成了三个双向电流分流放大器，用于使用低侧分流电阻器监测流过每个外部半桥的电流电平。可以通过 SPI 或硬件接口来调整分流放大器的增益设置，SPI 为调整输出偏置点提供了额外的灵活性。

除了器件高度集成之外，DRV835xF 系列器件还提供广泛的集成保护功能。这些功能包括电源欠压锁定 (UVLO)、栅极驱动欠压锁定 (GDUV)、V_DS 过流监视 (OCP)、栅极驱动器短路检测 (GDF) 和过热关断 (OTW/OTSD)。故障事件由 nFAULT 引脚指示，可在 SPI 器件版本的 SPI 寄存器中获得详细信息。

DRV835xF 系列器件采用 0.5mm 引脚间距、QFN 表面贴装封装。32 引脚封装的 QFN 尺寸为 5 × 5mm，40 引脚封装的 QFN 尺寸为 6 × 6mm。