可以通过监测外部 MOSFET R_DS(on) 上的 V_DS 电压降来检测 MOSFET 过流事件。如果启用的 MOSFET 上的电压超过 V_{VDS_OCP} 阈值的时间长于 t_{OCP_DEG} 抗尖峰脉冲时间，则会识别出 VDS_OCP 事件并根据 OCP_MODE 执行操作。在硬件接口器件上，可以通过 VDS 引脚设置 V_{VDS_OCP} 阈值，t_{OCP_DEG} 固定为 4µs，OCP_MODE 配置为 8ms 自动重试，但可以通过将 VDS 引脚连接到 DVDD 将其禁用。在 SPI 器件上，可以通过 VDS_LVL SPI 寄存器设置 V_{VDS_OCP} 阈值，通过 OCP_DEG SPI 寄存器设置 t_{OCP_DEG}，而 OCP_MODE 位可以在四种不同的模式下运行：V_DS 锁存关断、V_DS 自动重试、V_DS 仅报告以及 V_DS 被禁用。

默认情况下，MOSFET V_DS 过流保护在逐周期 (CBC) 模式下运行。可以通过 SPI 寄存器在 SPI 器件型号上禁用该模式。在逐周期 (CBC) 模式下，PWM 输入上的新上升沿将清除现有的过流故障。

此外，在 SPI 器件上，可以设置 OCP_ACT 寄存器设置值以更改链接和单独关断模式之间的 VDS_OCP 过流响应。当 OCP_ACT 为 0 时，VDS_OCP 故障只会影响发生故障的半桥。当 OCP_ACT 为 1 时，全部三个半桥都将响应任何其他半桥上的 VDS_OCP 故障。OCP_ACT 默认为 0，单独关断模式。