ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在该模式下,相应的输入引脚独立控制每个高侧和低侧栅极驱动器。该控制模式允许外部控制器绕过 DRV835xF 的内部死区时间握手机制,或利用高侧和低侧驱动器通过每个半桥驱动单独的高侧和低侧负载。这些类型的负载包括单向有刷直流电机、电磁阀以及低侧和高侧开关。在该模式下,如果系统设置为半桥配置,则当高侧和低侧 MOSFET 同时开启时会发生击穿。
INLx | INHx | GLx | GHx |
---|---|---|---|
0 | 0 | L | L |
0 | 1 | L | H |
1 | 0 | H | L |
1 | 1 | H | H |
高侧和低侧 VDS 过流监视器共享 SHx 检测线,因此如果高侧和低侧栅极驱动器都在独立运行,则无法同时使用这两个监视器。
在这种情况下,应将 SHx 引脚连接到高侧驱动器并禁用 VDS 过流监视器,如图 8-7 所示。
如果使用半桥仅实现高侧或低侧驱动器,则仍然可以使用 VDS 过流监视器。连接 SHx 引脚,如图 8-8 或图 8-9 所示。未使用的栅极驱动器和相应的输入可以保持断开状态。