ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在该模式下发生 VDS_OCP 事件后,所有外部 MOSFET 都被禁用,并且 nFAULT 引脚被驱动为低电平。FAULT、VDS_OCP 和相应的 MOSFET OCP 位在 SPI 寄存器中被锁存为高电平。在 tRETRY 时间过后,器件将自动继续正常运行(栅极驱动器运行且释放 nFAULT 引脚)。FAULT、VDS_OCP 和 MOSFET OCP 位保持锁存,直到 tRETRY 周期结束。