ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在该模式下发生 VDS_OCP 事件后,所有外部 MOSFET 都被禁用,并且 nFAULT 引脚被驱动为低电平。FAULT、VDS_OCP 和相应的 MOSFET OCP 位在 SPI 寄存器中被锁存为高电平。VDS_OCP 条件消失并通过 CLR_FLT 位或 ENABLE 复位脉冲 (tRST) 发出清除故障命令后,器件将继续正常运行(栅极驱动器运行且释放 nFAULT 引脚)。