ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
电源电压(DVDD、VCP、VGLS、VM) | |||||||
IVM | VM 工作电源电流 | VVM = VVDRAIN = 48V,ENABLE = 3.3V,INHx/INLx = 0V | 8.5 | 13 | mA | ||
IVDRAIN | VDRAIN 工作电源电流 | VVM = VVDRAIN = 48V,ENABLE = 3.3V,INHx/INLx = 0V | 1.9 | 4 | mA | ||
ISLEEP | 睡眠模式电源电流 | ENABLE = 0V,VVM = VVDRAIN = 48V,TA = 25°C | 20 | 40 | µA | ||
ENABLE = 0V,VVM = VVDRAIN = 48V,TA = 125°C | 100 | ||||||
tRST | 复位脉冲时间 | ENABLE = 0V 周期以重置故障 | 5 | 40 | µs | ||
tWAKE | 开通时间 | VVM > VUVLO,ENABLE = 3.3V 以使输出就绪 | 1 | ms | |||
tSLEEP | 关断时间 | ENABLE = 0V 以使器件进入睡眠模式 | 1 | ms | |||
VDVDD | DVDD 稳压器电压 | IDVDD = 0 至 10mA | 4.75 | 5 | 5.25 | V | |
VVCP | 以 VDRAIN 为基准的 VCP 工作电压 |
VVM = 15V,IVCP = 0 至 25mA | 9 | 10.5 | 12 | V | |
VVM = 12V,IVCP = 0 至 20mA | 7.5 | 10 | 11.5 | ||||
VVM = 10V,IVCP = 0 至 15mA | 6 | 8 | 9.5 | ||||
VVM = 9V,IVCP = 0 至 10mA | 5.5 | 7.5 | 8.5 | ||||
VVGLS | 以 GND 为基准的 VGLS 工作电压 |
VVM = 15V,IVGLS = 0 至 25mA | 13 | 14.5 | 16 | V | |
VVM = 12V,IVGLS = 0 至 20mA | 10 | 11.5 | 12.5 | ||||
VVM = 10V,IVGLS = 0 至 15mA | 8 | 9.5 | 10.5 | ||||
VVM = 9V,IVGLS = 0 至 10mA | 7 | 8.5 | 9.5 | ||||
逻辑电平输入(ENABLE、INHx、INLx、nSCS、SCLK、SDI) | |||||||
VIL | 输入逻辑低电压 | 0 | 0.8 | V | |||
VIH | 输入逻辑高电压 | 1.5 | 5.5 | V | |||
VHYS | 输入逻辑迟滞 | 100 | mV | ||||
IIL | 输入逻辑低电流 | VVIN = 0 V | -5 | 5 | µA | ||
IIH | 输入逻辑高电流 | VVIN = 5 V | 50 | 70 | µA | ||
RPD | 下拉电阻 | 接地 | 100 | kΩ | |||
tPD | 传播延迟 | INHx/INLx 转换至 GHx/GLx 转换 | 200 | ns | |||
四电平 H/W 输入(GAIN、MODE) | |||||||
VI1 | 输入模式 1 电压 | 接地 | 0 | V | |||
VCOMP1 | 四电平输入电压比较器 1 | VI1 和 VI2 之间的电压比较器 | 1.156 | 1.256 | 1.356 | V | |
VI2 | 输入模式 2 电压 | 47kΩ ± 5% 连接至 GND | 1.9 | V | |||
VCOMP2 | 四电平输入电压比较器 1 | VI2 和 VI3 之间的电压比较器 | 2.408 | 2.508 | 2.608 | V | |
VI3 | 输入模式 3 电压 | 高阻态 | 3.1 | V | |||
VCOMP3 | 四电平输入电压比较器 3 | VI3 和 VI4 之间的电压比较器 | 3.614 | 3.714 | 3.814 | V | |
VI4 | 输入模式 4 电压 | 连接至 DVDD | 5 | V | |||
RPU | 上拉电阻 | 内部上拉到 DVDD | 50 | kΩ | |||
RPD | 下拉电阻 | 内部下拉接地 | 84 | kΩ | |||
七电平 H/W 输入(IDRIVE、VDS) | |||||||
VI1 | 输入模式 1 电压 | 接地 | 0 | V | |||
VCOMP1 | 七电平电压比较器 1 | VI1 和 VI2 之间的电压比较器 | 0.057 | 0.157 | 0.257 | V | |
VI2 | 输入模式 2 电压 | 18kΩ ± 5% 接地 | 0.8 | V | |||
VCOMP2 | 七电平电压比较器 2 | VI2 和 VI3 之间的电压比较器 | 1.158 | 1.258 | 1.358 | V | |
VI3 | 输入模式 3 电压 | 75kΩ ± 5% 接地 | 1.7 | V | |||
VCOMP3 | 七电平电压比较器 3 | VI3 和 VI4 之间的电压比较器 | 2.257 | 2.357 | 2.457 | V | |
VI4 | 输入模式 4 电压 | 高阻态 | 2.5 | V | |||
VCOMP4 | 七电平电压比较器 4 | VI4 和 VI5 之间的电压比较器 | 2.561 | 2.661 | 2.761 | V | |
VI5 | 输入模式 5 电压 | 75kΩ ± 5% 连接至 DVDD | 3.3 | V | |||
VCOMP5 | 七电平电压比较器 5 | VI5 和 VI6 之间的电压比较器 | 3.615 | 3.715 | 3.815 | V | |
VI6 | 输入模式 6 电压 | 18kΩ ± 5% 连接至 DVDD | 4.2 | V | |||
VCOMP6 | 七电平电压比较器 6 | VI6 和 VI7 之间的电压比较器 | 4.75 | 4.85 | 4.95 | V | |
VI7 | 输入模式 7 电压 | 连接至 DVDD | 5 | V | |||
RPU | 上拉电阻 | 内部上拉到 DVDD | 73 | kΩ | |||
RPD | 下拉电阻 | 内部下拉接地 | 73 | kΩ | |||
开漏输出(nFAULT、SDO) | |||||||
VOL | 输出逻辑低电压 | IO = 5mA | 0.125 | V | |||
IOZ | 输出高阻抗泄漏 | VO = 5V | -2 | 2 | µA | ||
栅极驱动器(GHx,GLx) | |||||||
VGSH | 以 SHx 为基准的 高侧栅极驱动电压 |
VVM = 15V,IVCP = 0 至 25mA | 9 | 10.5 | 12 | V | |
VVM = 12V,IVCP = 0 至 20mA | 7.5 | 10 | 11.5 | ||||
VVM = 10V,IVCP = 0 至 15mA | 6 | 8 | 9.5 | ||||
VVM = 9V,IVCP = 0 至 10mA | 5.5 | 7.5 | 8.5 | ||||
VGSL | 以 PGND 为基准的 低侧栅极驱动电压 |
VVM = 15V,IVGLS = 0 至 25mA | 9.5 | 11 | 12.5 | V | |
VVM = 12V,IVGLS = 0 至 20mA | 9 | 10.5 | 12 | ||||
VVM = 10V,IVGLS = 0 至 15mA | 7.5 | 9 | 10.5 | ||||
VVM = 9V,IVGLS = 0 至 10mA | 6.5 | 8 | 9.5 | ||||
tDEAD | 栅极驱动器 死区时间 |
SPI 器件 | DEAD_TIME = 00b | 50 | ns | ||
DEAD_TIME = 01b | 100 | ||||||
DEAD_TIME = 10b | 200 | ||||||
DEAD_TIME = 11b | 400 | ||||||
H/W 器件 | 100 | ||||||
tDRIVE | 峰值电流 栅极驱动时间 |
SPI 器件 | TDRIVE = 00b | 500 | ns | ||
TDRIVE = 01b | 1000 | ||||||
TDRIVE = 10b | 2000 | ||||||
TDRIVE = 11b | 4000 | ||||||
H/W 器件 | 4000 | ||||||
IDRIVEP | 峰值栅极 拉电流 |
SPI 器件 | IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0000b | 50 | mA | ||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0001b | 50 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0010b | 100 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0011b | 150 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0100b | 300 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0101b | 350 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0110b | 400 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0111b | 450 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1000b | 550 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1001b | 600 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1010b | 650 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1011b | 700 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1100b | 850 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1101b | 900 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1110b | 950 | ||||||
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1111b | 1000 | ||||||
H/W 器件 | IDRIVE = 接地 | 50 | |||||
IDRIVE = 18kΩ ± 5% 接地 | 100 | ||||||
IDRIVE = 75kΩ ± 5% 接地 | 150 | ||||||
IDRIVE = 高阻态 | 300 | ||||||
IDRIVE = 75kΩ ± 5% 连接至 DVDD | 450 | ||||||
IDRIVE = 18kΩ ± 5% 连接至 DVDD | 700 | ||||||
IDRIVE = 连接至 DVDD | 1000 | ||||||
IDRIVEN | 峰值栅极 灌电流 |
SPI 器件 | IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0000b | 100 | mA | ||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0001b | 100 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0010b | 200 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0011b | 300 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0100b | 600 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0101b | 700 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0110b | 800 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0111b | 900 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1000b | 1100 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1001b | 1200 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1010b | 1300 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1011b | 1400 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1100b | 1700 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1101b | 1800 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1110b | 1900 | ||||||
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1111b | 2000 | ||||||
H/W 器件 | IDRIVE = 接地 | 100 | |||||
IDRIVE = 18kΩ ± 5% 接地 | 200 | ||||||
IDRIVE = 75kΩ ± 5% 接地 | 300 | ||||||
IDRIVE = 高阻态 | 600 | ||||||
IDRIVE = 75kΩ ± 5% 连接至 DVDD | 900 | ||||||
IDRIVE = 18kΩ ± 5% 连接至 DVDD | 1400 | ||||||
IDRIVE = 连接至 DVDD | 2000 | ||||||
IHOLD | 栅极保持电流 | tDRIVE 之后的拉电流 | 50 | mA | |||
tDRIVE 之后的灌电流 | 100 | ||||||
ISTRONG | 栅极强下拉电流 | GHx 至 SHx,GLx 至 SPx/SLx | 2 | A) | |||
ROFF | 栅极延迟电阻器 | GHx 至 SHx,GLx 至 SPx/SLx | 150 | kΩ | |||
电流分流放大器(SNx、SOx、SPx、VREF) | |||||||
GCSA | 放大器增益 | SPI 器件 | CSA_GAIN = 00b | 4.85 | 5 | 5.15 | V/V |
CSA_GAIN = 01b | 9.7 | 10 | 10.3 | ||||
CSA_GAIN = 10b | 19.4 | 20 | 20.6 | ||||
CSA_GAIN = 11b | 38.8 | 40 | 41.2 | ||||
H/W 器件 | GAIN = 接地 | 4.85 | 5 | 5.15 | |||
GAIN = 47kΩ ± 5% 接地 | 9.7 | 10 | 10.3 | ||||
GAIN = 高阻态 | 19.4 | 20 | 20.6 | ||||
GAIN = 连接至 DVDD | 38.8 | 40 | 41.2 | ||||
tSET | 精度达 ±1% 的稳定时间 | VO_STEP = 0.5V,GCSA = 5V/V | 250 | ns | |||
VO_STEP = 0.5V,GCSA = 10V/V | 500 | ||||||
VO_STEP = 0.5V,GVSA = 20V/V | 1000 | ||||||
VO_STEP = 0.5V,GCSA = 40V/V | 2000 | ||||||
VCOM | 共模输入范围 | –0.15 | 0.15 | V | |||
VDIFF | 差分模式输入范围 | -0.3 | 0.3 | V | |||
VOFF | 输入失调电压误差 | VSP = VSN = 0V | -3 | 3 | mV | ||
VDRIFT | 漂移失调电压 | VSP = VSN = 0V | 10 | µV/°C | |||
VLINEAR | SOx 输出电压线性范围 | 0.25 | VVREF – 0.25 | V | |||
VBIAS | SOx 输出电压偏置 | SPI 器件 | VSP = VSN = 0V,VREF_DIV = 0b | VVREF – 0.3 | V | ||
VSP = VSN = 0V,VREF_DIV = 1b | VVREF/2 | ||||||
H/W 器件 | VSP = VSN = 0V | VVREF/2 | |||||
IBIAS | SPx/SNx 输入偏置电流 | 250 | µA | ||||
VSLEW | SOx 输出压摆率 | 60pF 负载 | 10 | V/µs | |||
IVREF | VREF 输入电流 | VVREF = 5V | 1.5 | 2.5 | mA | ||
UGB | 单位增益带宽 | DRV835xF:60pF 负载 | 10 | MHz | |||
DRV835xFR:60pF 负载 | 1 | MHz | |||||
保护电路 | |||||||
VVM_UV | VM 欠压锁定 | DRV835xF:VM 下降,UVLO 报告 | 8.0 | 8.3 | 8.8 | V | |
DRV835xF:VM 上升,UVLO 恢复 | 8.2 | 8.5 | 9.0 | ||||
DRV835xFR:VM 下降,UVLO 报告 | 8.0 | 8.3 | 8.6 | ||||
DRV835xFR:VM 上升,UVLO 恢复 | 8.2 | 8.5 | 8.8 | ||||
VVM_UVH | VM 欠压迟滞 | 上升至下降阈值 | 200 | mV | |||
tVM_UVD | VM 欠压抗尖峰脉冲时间 | VM 下降,UVLO 报告 | 10 | µs | |||
VVDR_UV | VDRAIN 欠压锁定 | DRV835xF:VDRAIN 下降,UVLO 报告 | 6.1 | 6.4 | 6.8 | V | |
DRV835xF:VDRAIN 上升,UVLO 恢复 | 6.3 | 6.6 | 7.0 | ||||
DRV835xFR:VDRAIN 下降,UVLO 报告 | 6.1 | 6.4 | 6.7 | ||||
DRV835xFR:VDRAIN 上升,UVLO 恢复 | 6.3 | 6.6 | 6.9 | ||||
VVDR_UVH | VDRAIN 欠压迟滞 | 上升至下降阈值 | 200 | mV | |||
tVDR_UVD | VDRAIN 欠压抗尖峰脉冲时间 | VDRAIN 下降,UVLO 报告 | 10 | µs | |||
VVCP_UV | VCP 电荷泵欠压锁定 | VCP 下降,GDUV 报告 | VDRAIN + 5 | V | |||
VVGLS_UV | VGLS 低侧稳压器欠压锁定 | VGLS 下降,GDUV 报告 | 4.25 | V | |||
VGS_CLAMP | 高侧栅极钳位 | 正钳位电压 | 12.5 | 13.5 | 16 | V | |
负钳位电压 | –0.7 | ||||||
VVDS_OCP | VDS 过流 跳变电压 |
SPI 器件 | DRV835xF:VDS_LVL = 0000b | 0.041 | 0.06 | 0.072 | V |
DRV835xF:VDS_LVL = 0001b | 0.051 | 0.07 | 0.084 | ||||
DRV835xF:VDS_LVL = 0010b | 0.061 | 0.08 | 0.096 | ||||
DRV835xF:VDS_LVL = 0011b | 0.071 | 0.09 | 0.108 | ||||
DRV835xF:VDS_LVL = 0100b | 0.081 | 0.1 | 0.115 | ||||
DRV835xFR:VDS_LVL = 0000b | 0.048 | 0.06 | 0.072 | ||||
DRV835xFR:VDS_LVL = 0001b | 0.056 | 0.07 | 0.084 | ||||
DRV835xFR:VDS_LVL = 0010b | 0.064 | 0.08 | 0.096 | ||||
DRV835xFR:VDS_LVL = 0011b | 0.072 | 0.09 | 0.108 | ||||
DRV835xFR:VDS_LVL = 0100b | 0.085 | 0.1 | 0.115 | ||||
VDS_LVL = 0101b | 0.18 | 0.2 | 0.22 | ||||
VDS_LVL = 0110b | 0.27 | 0.3 | 0.33 | ||||
VDS_LVL = 0111b | 0.36 | 0.4 | 0.44 | ||||
VDS_LVL = 1000b | 0.45 | 0.5 | 0.55 | ||||
VDS_LVL = 1001b | 0.54 | 0.6 | 0.66 | ||||
VDS_LVL = 1010b | 0.63 | 0.7 | 0.77 | ||||
VDS_LVL = 1011b | 0.72 | 0.8 | 0.88 | ||||
VDS_LVL = 1100b | 0.81 | 0.9 | 0.99 | ||||
VDS_LVL = 1101b | 0.9 | 1.0 | 1.1 | ||||
VDS_LVL = 1110b | 1.35 | 1.5 | 1.65 | ||||
VDS_LVL = 1111b | 1.8 | 2 | 2.2 | ||||
H/W 器件 | DRV835xF:VDS = 接地 | 0.041 | 0.06 | 0.072 | V | ||
DRV835xF:VDS = 18kΩ ± 5% 接地 | 0.081 | 0.1 | 0.115 | ||||
DRV835xFR:VDS = 接地 | 0.048 | 0.06 | 0.072 | ||||
DRV835xFR:VDS = 18kΩ ± 5% 接地 | 0.085 | 0.1 | 0.115 | ||||
VDS = 75kΩ ± 5% 接地 | 0.18 | 0.2 | 0.22 | ||||
VDS = 高阻态 | 0.36 | 0.4 | 0.44 | ||||
VDS = 75kΩ ± 5% 连接至 DVDD | 0.63 | 0.7 | 0.77 | ||||
VDS = 18kΩ ± 5% 连接至 DVDD | 0.9 | 1 | 1.1 | ||||
VDS = 连接至 DVDD | 禁用 | ||||||
tOCP_DEG | VDS 和 VSENSE 过流抗尖峰脉冲时间 | SPI 器件 | OCP_DEG = 00b | 1 | µs | ||
OCP_DEG = 01b | 2 | ||||||
OCP_DEG = 10b | 4 | ||||||
OCP_DEG = 11b | 8 | ||||||
H/W 器件 | 4 | ||||||
VSEN_OCP | VSENSE 过流跳变电压 | SPI 器件 | SEN_LVL = 00b | 0.25 | V | ||
SEN_LVL = 01b | 0.5 | ||||||
SEN_LVL = 10b | 0.75 | ||||||
SEN_LVL = 11b | 1 | ||||||
H/W 器件 | 1 | ||||||
tRETRY | 过流重试时间 | SPI 器件 | TRETRY = 0b | 8 | ms | ||
TRETRY = 1b | 50 | μs | |||||
H/W 器件 | 8 | ms | |||||
TOTW | 热警告温度 | 内核温度 TJ | 130 | 150 | 170 | °C | |
TOTSD | 热关断温度 | 内核温度 TJ | 150 | 170 | 190 | °C | |
THYS | 热迟滞 | 内核温度 TJ | 20 | °C |