使用推荐容值为 0.1µF 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 GND 引脚。将该电容器放置在尽可能靠近 VM 引脚的位置，并通过较宽的迹线或接地平面连接到 GND 引脚。此外，使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚旁路掉。该元件可以是电解电容器。其容值必须至少为 10 µF。

需要额外的大容量电容来旁路掉外部 MOSFET 上的大电流路径。放置此大容量电容时应做到尽可能缩短通过外部 MOSFET 的大电流路径的长度。连接金属迹线应尽可能宽，并具有许多连接 PCB 层的过孔。这些做法最大限度地减少了电感并允许大容量电容器提供大电流。

在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。该电容器的容值应为 47nF，额定电压为 VDRAIN，类型为 X5R 或 X7R。此外，在 VCP 和 VDRAIN 引脚以及 VGLS 和 GND 之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。这些电容器的容值应为 1µF，额定电压为 16V，类型为 X5R 或 X7R。

使用一个容值为 1µF、额定电压为 6.3V 且类型为 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至 GND/DGND 引脚。将该电容器放置在尽可能靠近引脚的位置，并尽量缩短从电容器到 GND/DGND 引脚的路径。

对于单电源应用配置，VDRAIN 引脚可以直接短接到 VM 引脚。但是，如果器件和外部 MOSFET 之间的距离很大，请使用专用迹线连接到高侧外部 MOSFET 的漏极公共点。 请勿将 SLx 引脚直接连接到 GND。而是应该使用专用迹线将这些引脚连接到低侧外部 MOSFET 的源极。遵循这些建议有助于更准确地感测外部 MOSFET 的 V_DS 以实现过流检测。

最大限度地缩短高侧和低侧栅极驱动器的回路长度。高侧环路是从器件的 GHx 引脚到高侧功率 MOSFET 栅极，然后沿着高侧 MOSFET 源极返回到 SHx 引脚。低侧环路是从器件的 GLx 引脚到低侧功率 MOSFET 栅极，然后沿着低侧 MOSFET 源极返回到 SPx/SLx 引脚。