ZHCSX84 October   2024 DRV8376

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 SPI 从模式时序
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出级
      2. 7.3.2  控制模式
        1. 7.3.2.1 6x PWM 模式（PWM_MODE = 00b 或 01b 或者 MODE_SR 引脚连接至 AGND 或处于高阻态）
        2. 7.3.2.2 3x PWM 模式（xPWM_MODE = 10b 或 11b 或 MODE_SR 引脚连接至 GVDD 或通过 RMODE 连接至 GVDD）
      3. 7.3.3  器件接口模式
        1. 7.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.3.2 硬件接口
      4. 7.3.4  AVDD 和 GVDD 线性稳压器
      5. 7.3.5  电荷泵
      6. 7.3.6  压摆率控制
      7. 7.3.7  跨导（死区时间）
      8. 7.3.8  传播延迟
      9. 7.3.9  引脚图
        1. 7.3.9.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
        2. 7.3.9.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
        3. 7.3.9.3 开漏引脚
        4. 7.3.9.4 推挽引脚
        5. 7.3.9.5 四电平输入引脚
      10. 7.3.10 电流检测放大器
        1. 7.3.10.1 电流检测放大器操作
      11. 7.3.11 主动消磁
        1. 7.3.11.1 自动同步整流模式（ASR 模式）
          1. 7.3.11.1.1 自动同步整流（换向模式）
          2. 7.3.11.1.2 自动同步整流（PWM 模式）
        2. 7.3.11.2 自动异步整流模式（AAR 模式）
      12. 7.3.12 逐周期电流限制
        1. 7.3.12.1 具有 100% 占空比输入的逐周期电流限制
      13. 7.3.13 保护功能
        1. 7.3.13.1 VM 电源欠压锁定 (RESET)
        2. 7.3.13.2 AVDD 欠压保护 (AVDD_UV)
        3. 7.3.13.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.13.4 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        5. 7.3.13.5 过压保护 (OV)
        6. 7.3.13.6 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.13.6.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 7.3.13.6.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 7.3.13.6.3 OCP 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 7.3.13.6.4 OCP 已禁用 (OCP_MODE = 11b)
        7. 7.3.13.7 热警告 (OTW)
        8. 7.3.13.8 热关断 (OTS)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 运行模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
      2. 7.4.2 DRVOFF 功能
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 编程
        1. 7.5.1.1 SPI 格式
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 状态寄存器
      2. 7.6.2 控制寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 电源相关建议
      1. 8.2.1 大容量电容
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
      3. 8.3.3 散热注意事项
        1. 8.3.3.1 功率耗散
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • NLG|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.6 压摆率控制

对半桥的 MOSFET 实施可调栅极驱动电流控制，以实现压摆率控制。MOSFET VDS 压摆率是优化辐射发射、二极管恢复尖峰的能量和持续时间以及与寄生效应相关的开关电压瞬态的关键因素。这些压摆率主要由内部 MOSFET 的栅极电荷的速率决定，如图 7-10 所示。

DRV8376 压摆率电路实现图 7-10 压摆率电路实现

在硬件型号中，每个半桥的压摆率可以通过 SLEW 引脚进行调整，在 SPI 器件型号中则使用 SLEW 位进行调整。每个半桥都可以选择为 1.1V/ns、0.5V/ns、0.25V/ns 或 0.05V/ns 的压摆率设置。压摆率根据 OUTx 引脚电压的上升时间和下降时间计算得出，如图 7-11 所示。

DRV8376 压摆率时序图 7-11 压摆率时序
注： DRV8376H 器件仅在上电期间检测 SLEW 引脚，并且在运行期间不支持压摆率更改。在 DRV8376S 器件中，可在运行期间通过寄存器写入来更改压摆率。TI 建议不要在运行期间更改压摆率。
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