ZHCSX84 October   2024 DRV8376

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 SPI 从模式时序
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出级
      2. 7.3.2  控制模式
        1. 7.3.2.1 6x PWM 模式(PWM_MODE = 00b 或 01b 或者 MODE_SR 引脚连接至 AGND 或处于高阻态)
        2. 7.3.2.2 3x PWM 模式(xPWM_MODE = 10b 或 11b 或 MODE_SR 引脚连接至 GVDD 或通过 RMODE 连接至 GVDD)
      3. 7.3.3  器件接口模式
        1. 7.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.3.2 硬件接口
      4. 7.3.4  AVDD 和 GVDD 线性稳压器
      5. 7.3.5  电荷泵
      6. 7.3.6  压摆率控制
      7. 7.3.7  跨导(死区时间)
      8. 7.3.8  传播延迟
      9. 7.3.9  引脚图
        1. 7.3.9.1 逻辑电平输入引脚(内部下拉)
        2. 7.3.9.2 逻辑电平输入引脚(内部上拉)
        3. 7.3.9.3 开漏引脚
        4. 7.3.9.4 推挽引脚
        5. 7.3.9.5 四电平输入引脚
      10. 7.3.10 电流检测放大器
        1. 7.3.10.1 电流检测放大器操作
      11. 7.3.11 主动消磁
        1. 7.3.11.1 自动同步整流模式(ASR 模式)
          1. 7.3.11.1.1 自动同步整流(换向模式)
          2. 7.3.11.1.2 自动同步整流(PWM 模式)
        2. 7.3.11.2 自动异步整流模式(AAR 模式)
      12. 7.3.12 逐周期电流限制
        1. 7.3.12.1 具有 100% 占空比输入的逐周期电流限制
      13. 7.3.13 保护功能
        1. 7.3.13.1 VM 电源欠压锁定 (RESET)
        2. 7.3.13.2 AVDD 欠压保护 (AVDD_UV)
        3. 7.3.13.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.13.4 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        5. 7.3.13.5 过压保护 (OV)
        6. 7.3.13.6 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.13.6.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 7.3.13.6.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 7.3.13.6.3 OCP 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 7.3.13.6.4 OCP 已禁用 (OCP_MODE = 11b)
        7. 7.3.13.7 热警告 (OTW)
        8. 7.3.13.8 热关断 (OTS)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 运行模式
        3. 7.4.1.3 故障复位(CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲)
      2. 7.4.2 DRVOFF 功能
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 编程
        1. 7.5.1.1 SPI 格式
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 状态寄存器
      2. 7.6.2 控制寄存器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 电源相关建议
      1. 8.2.1 大容量电容
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
      3. 8.3.3 散热注意事项
        1. 8.3.3.1 功率耗散
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • NLG|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

逐周期电流限制

如果流经低侧 MOSFET 的电流超过 ILIMIT 电流,电流限制电路将激活。此特性将电机电流限制为低于 ILIMIT

电流限制电路利用三相的电流检测放大器输出,并将该电压与 ILIMIT 引脚处的电压进行比较。图 7-28 展示了电流限制电路的实现方式,其中电流检测放大器的输出与星形连接的电阻网络相结合。这个测得的电压 VMEAS 与外部基准电压 VILIMIT 进行比较,以实现电流限制实施。在 OUTX 引脚上检测到的电流与 VMEAS 阈值之间的关系如下所示:

方程式 5. V M E A S = V V R E F 2 - I O U T A + I O U T B + I O U T C × G A I N / 3

其中

  • VVREF 是电流检测放大器电源
  • IOUTX 是流入低侧 MOSFET 的电流
  • CSA_GAIN 是电流检测放大器增益

可以通过配置 ILIMIT 引脚上的电压来调整 ILIMIT 阈值。当 ILIMIT 引脚上的电压在 VREF/2 至 VMEAS 之间变化时,ILIMIT 会在 0A 至 4A 之间呈线性变化。可以施加大于 VREF/2 的电压来禁用 ILIMIT。

在高侧和低侧开关控制输入(INHx 和 INLx)的每个上升沿,电流限制比较器输出均存在一个消隐时间,而在消隐时间内,DRV8376 输出状态取决于 INHx 和 INLx 状态。在 SPI 器件中,消隐时间通过 ILIM_BLANK_SEL 进行配置,而在硬件型号中,对于 50 的压摆率,消隐时间固定为 5.5us,对于所有其他压摆率,消隐时间则固定为 1.8us。

DRV8376 电流限制实现图 7-28 电流限制实现

当电流限制激活时,每个半桥的高侧 FET 将被禁用,直到该半桥的高侧 (INHx) 的上升沿为止,如图 7-29 所示。在 SPI 器件型号中,通过配置 ILIM_MODE 位,低侧 FET 可以在制动模式或滑行(高阻态)模式下运行。在硬件型号中,低侧 FET 在滑行(高阻态)模式下运行。

DRV8376 逐周期电流限制运行图 7-29 逐周期电流限制运行
DRV8376 低侧在制动模式下开关的逐周期电流限制运行图 7-30 低侧在制动模式下开关的逐周期电流限制运行
DRV8376 低侧在滑行模式下开关的逐周期电流限制运行图 7-31 低侧在滑行模式下开关的逐周期电流限制运行

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