ZHCSOM2C September 2022 – June 2024 DRV8411
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
器件中的功率耗散主要由输出 FET 电阻或 RDS(ON) 中耗散的直流功率决定。PWM 开关损耗会导致耗散额外的功率,具体取决于 PWM 频率、上升和下降时间以及 VM 电源电压。
一个 H 桥的直流功率耗散可通过方程式 5 大致估算。
其中
RDS(ON) 随温度升高而增加,因此随着器件发热,功率耗散也会增大。在估算最大输出电流时必须考虑这一点。