ZHCSOM2C September 2022 – June 2024 DRV8411
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
每个 FET 上的模拟电流限制电路都将通过在内部限制栅极驱动器来限制流经 FET 的电流。如果此电流限制的持续时间超过 OCP 抗尖峰脉冲时间 (tOCP),则会禁用 H 桥中的所有 FET 并将 nFAULT 引脚置位为低电平。在 OCP 重试期 (tRETRY) 过后,驱动器将重新启用。此时 nFAULT 再次变为高电平,并且驱动器恢复正常运行。如果故障仍然存在,则重复此周期,如图 8-6 所示。请注意,只有检测到过流情况的 H 桥才会被禁用,而另一个桥将正常工作。
在高侧和低侧 FET 上单独检测到过流情况。这意味着接地短路、电源短路或跨电机绕组短路都会导致过流关断。xISEN 引脚还集成了一个由 VOCP_ISEN 指定的单独过流跳闸阈值,以便在 VM 电压较低或 xISEN 引脚上的 RSENSE 电阻较高时提供额外保护。