ZHCSOS2B October   2022  – July 2024 DRV8411A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
  8. 7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 外部元件
    4. 8.4 特性说明
      1. 8.4.1 电桥控制
        1. 8.4.1.1 并联桥式连接
      2. 8.4.2 电流检测和调节
        1. 8.4.2.1 电流检测
        2. 8.4.2.2 电流调节
      3. 8.4.3 保护电路
        1. 8.4.3.1 过流保护 (OCP)
        2. 8.4.3.2 热关断 (TSD)
        3. 8.4.3.3 欠压锁定 (UVLO)
    5. 8.5 器件功能模式
      1. 8.5.1 工作模式
      2. 8.5.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.5.3 故障模式
    6. 8.6 引脚图
      1. 8.6.1 逻辑电平输入
  10. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 典型应用
        1. 9.1.1.1 步进电机应用
          1. 9.1.1.1.1 设计要求
          2. 9.1.1.1.2 详细设计过程
            1. 9.1.1.1.2.1 步进电机转速
            2. 9.1.1.1.2.2 电流调节
            3. 9.1.1.1.2.3 步进模式
              1. 9.1.1.1.2.3.1 全步进运行
              2. 9.1.1.1.2.3.2 快速衰减下的半步进运行
              3. 9.1.1.1.2.3.3 慢速衰减下的半步进运行
          3. 9.1.1.1.3 应用曲线
        2. 9.1.1.2 双 BDC 电机应用
          1. 9.1.1.2.1 设计要求
          2. 9.1.1.2.2 详细设计过程
            1. 9.1.1.2.2.1 电机电压
            2. 9.1.1.2.2.2 电流调节
          3. 9.1.1.2.3 应用曲线
        3. 9.1.1.3 散热注意事项
          1. 9.1.1.3.1 最大输出电流
          2. 9.1.1.3.2 功率耗散
          3. 9.1.1.3.3 热性能
            1. 9.1.1.3.3.1 稳态热性能
            2. 9.1.1.3.3.2 瞬态热性能
    2. 9.2 电源相关建议
      1. 9.2.1 大容量电容
      2. 9.2.2 电源和逻辑时序
    3. 9.3 布局
      1. 9.3.1 布局指南
      2. 9.3.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 社区资源
    4. 10.4 商标
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|16
  • RTE|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

1.65V ≤ VVM ≤ 11V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。典型值是在 TJ = 27 °C 且 VVM = 5V 时。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源 (VM)
IVMQ VM 睡眠模式电流 VVM = 5V，TJ = 27°C 4 40 nA
IVM VM 活动模式电流 xIN1 = 3.3V，xIN2 = 0V，VVM = 5V 2.3 4 mA
tWAKE 开通时间 睡眠模式到工作模式延迟 100 μs
tAUTOSLEEP 自动睡眠关断时间 工作模式到自动睡眠模式延迟 0.7 1.5 ms
逻辑电平输入（AIN1、AIN2、BIN1、BIN2）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.4 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.45 5.5 V
VHYS_logic 逻辑输入迟滞 50 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VxINx = 0V -1 1 µA
IIH 输入逻辑高电平电流 VxINx = 5V 20 70 µA
RPD 输入下拉电阻 100 kΩ
tDEGLITCH 输入逻辑抗尖峰 50 ns
开漏输出 (nFAULT)
VOL 输出逻辑低电平电压 IOD = 5mA 0.3 V
IOZ 输出逻辑高电平电流 VOD = 5V -1 1 µA
驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
RHS_DS(ON) 高侧 MOSFET 导通电阻 IOUTx = 0.2A 200 mΩ
RLS_DS(ON) 低侧 MOSFET 导通电阻 IOUTx = -0.2A 200 mΩ
VSD 体二极管正向电压 IOUTx = -0.5A 1 V
tRISE 输出上升时间 VOUTx 上升，从 VVM 的 10% 上升到 90%，VVM = 5V 100 ns
tFALL 输出下降时间 VOUTx 下降，从 VVM 的 90% 下降到 10%，VVM = 5V 50 ns
tPD 输入至输出传播延迟 输入超过 0.8V 达到 VOUTx = 0.1×VVM，IOUTx = 1A 600 ns
tDEAD 输出死区时间 400 ns
电流检测和调节
AIPROPI 电流镜比例因数 200 µA/A
AERR 电流镜总误差 IOUT = 1A，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V -6 6 %
IOUT = 1A，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V -9 6 %
tOFF 电流调节关断时间 20 µs
tBLANK 电流调节消隐时间 1.8 µs
tDELAY 电流检测延迟时间 2 µs
tDEG 电流调节抗尖峰脉冲时间 1 µs
保护电路
VUVLO 电源欠压锁定 (UVLO) 电源上升 1.6 V
电源下降 1.3 V
VUVLO_HYS 电源 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 100 mV
tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 VVM 下降至 OUTx 已禁用 10 µs
IOCP 过流保护跳变点 4 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 4.2 µs
tRETRY 过流保护重试时间 1.6 ms
TTSD 热关断温度 153 193 °C
THYS 热关断迟滞 18 °C
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