ZHCSMN6C May   2020  – July 2022 DRV8424 , DRV8425

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
    1.     器件比较表
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 分度器时序要求
    7. 6.7 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  步进电机驱动器电流额定值
        1. 7.3.1.1 峰值电流额定值
        2. 7.3.1.2 均方根电流额定值
        3. 7.3.1.3 满量程电流额定值
      2. 7.3.2  PWM 电机驱动器
      3. 7.3.3  微步进分度器
      4. 7.3.4  通过 MCU DAC 控制 VREF
      5. 7.3.5  电流调节
      6. 7.3.6  衰减模式
        1. 7.3.6.1 上升和下降电流阶段均为慢速衰减
        2. 7.3.6.2 上升电流阶段为慢速衰减，下降电流阶段为混合衰减
        3. 7.3.6.3 上升和下降电流阶段均为混合衰减
        4. 7.3.6.4 智能调优动态衰减
        5. 7.3.6.5 智能调优纹波控制
        6. 7.3.6.6 PWM 关断时间
        7. 7.3.6.7 消隐时间
      7. 7.3.7  电荷泵
      8. 7.3.8  线性稳压器
      9. 7.3.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
      10. 7.3.10 nFAULT 引脚
      11. 7.3.11 保护电路
        1. 7.3.11.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.11.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.11.3 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.11.3.1 锁存关断
          2. 7.3.11.3.2 自动重试
        4. 7.3.11.4 热关断 (OTSD)
          1. 7.3.11.4.1 锁存关断
          2. 7.3.11.4.2 自动重试
        5. 7.3.11.5 故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 禁用模式（nSLEEP = 1，ENABLE = 0）
      3. 7.4.3 工作模式（nSLEEP = 1，ENABLE = Hi-Z/1）
      4. 7.4.4 nSLEEP 复位脉冲
      5. 7.4.5 功能模式汇总
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 步进电机转速
        2. 8.2.2.2 电流调节
        3. 8.2.2.3 衰减模式
      3. 8.2.3 应用曲线
      4. 8.2.4 热应用
        1. 8.2.4.1 功率耗散
          1. 8.2.4.1.1 导通损耗
          2. 8.2.4.1.2 开关损耗
          3. 8.2.4.1.3 由于静态电流造成的功率损耗
          4. 8.2.4.1.4 总功率损耗
        2. 8.2.4.2 器件结温估算
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 相关链接
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压（VM、DVDD）
IVM VM 工作电源电流 ENABLE = 1，nSLEEP = 1，无电机负载 5 6.5 mA
IVMQ VM 休眠模式电源电流 nSLEEP = 0 2 4 μA
tSLEEP 休眠时间 nSLEEP = 0 至休眠模式 120 μs
tRESET nSLEEP 复位脉冲 nSLEEP 低电平至清除故障 20 40 μs
tWAKE 唤醒时间 nSLEEP = 1 至输出转换 0.8 1.2 ms
tON 开通时间 VM > UVLO 至输出转换 0.8 1.2 ms

tEN

启用时间

ENABLE = 0/1 至输出转换

5

 μs
VDVDD 内部稳压器电压 无外部负载，6V < VVM < 33V 4.75 5 5.25 V
无外部负载，VVM = 4.5V

4.2

4.35

V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
VCP VCP 工作电压 6V < V{27}VM{28} < 33V VVM + 5 V
f(CP) 电荷泵开关频率 VVM > UVLO；nSLEEP = 1 360 kHz
逻辑电平输入（STEP、DIR、nSLEEP）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.6 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.5 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 150 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VIN = 0V -1 1 μA
IIH 输入逻辑高电平电流 VIN = 5V 100 μA
三电平输入（M0、DECAY0、DECAY1、ENABLE）
VI1 输入逻辑低电平电压 连接至 GND 0 0.6 V
VI2 输入高阻抗电压 Hi-Z 1.8 2 2.2 V
VI3 输入逻辑高电平电压 连接至 DVDD 2.7 5.5 V
IO 输出上拉电流 10 μA
四电平输入（M1、TOFF）
VI1 输入逻辑低电平电压 连接至 GND 0 0.6 V
VI2 330kΩ ± 5% 至 GND 1 1.25 1.4 V
VI3 输入高阻抗电压 Hi-Z 1.8 2 2.2 V
VI4 输入逻辑高电平电压 连接至 DVDD 2.7 5.5 V
IIL 输出上拉电流 10 μA
控制输出 (nFAULT)
VOL 输出逻辑低电平电压 IO = 5mA 0.5 V
IOH 输出逻辑高电平泄漏电流 -1 1 μA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
RDS(ONH) 高侧 FET 导通电阻 (DRV8424) TJ = 25°C、IO = -1A 165 200 mΩ
TJ = 125°C、IO = -1A 250 300 mΩ
TJ = 150°C、IO = -1A 280 350 mΩ
RDS(ONL) 低侧 FET 导通电阻 (DRV8424) TJ = 25°C、IO = 1A 165 200 mΩ
TJ = 125°C、IO = 1A 250 300 mΩ
TJ = 150°C、IO = 1A 280 350 mΩ
RDS(ONH) 高侧 FET 导通电阻 (DRV8425) TJ = 25°C、IO = -1A 275 330 mΩ
TJ = 125°C、IO = -1A 410 500 mΩ
TJ = 150°C、IO = -1A 460 580 mΩ
RDS(ONL) 低侧 FET 导通电阻 (DRV8425) TJ = 25°C、IO = 1A 275 330 mΩ
TJ = 125°C、IO = 1A 410 500 mΩ
TJ = 150°C、IO = 1A 460 580 mΩ
tSR 输出压摆率 VVM = 24V、IO = 1A，在 10% 至 90% 之间 240 V/µs
PWM 电流控制 (VREF)
KV 跨阻增益 VREF = 3.3V 1.254 1.32 1.386 V/A

IVREF

VREF 泄漏电流

 VREF = 3.3V

8.25

 μA
tOFF PWM 关断时间 TOFF = 0 7 μs
TOFF = 1 16
TOFF = Hi-Z 24
TOFF = 330kΩ 至 GND 32
ΔITRIP 电流跳变精度 IO = 2.5A，10% 至 20% 电流设置 –8 12 %
IO = 2.5A，20% 至 40% 电流设置 –7

7
IO = 2.5A，40% 至 100% 电流设置 -5 5
IO,CH AOUT 和 BOUT 电流匹配 IO = 2.5A -2.5 2.5 %
保护电路
VUVLO VM UVLO 锁定 VM 下降，UVLO 下降 4.1 4.25 4.35 V
VM 上升，UVLO 上升 4.2 4.35 4.45
VUVLO,HYS 欠压迟滞 上升至下降阈值 100 mV
VCPUV 电荷泵欠压 VCP 下降；CPUV 报告 VVM + 2 V
IOCP 过流保护 流经任何 FET 的电流 (DRV8424) 4 A
IOCP 过流保护 流经任何 FET 的电流 (DRV8425) 3.2 A
tOCP 过流抗尖峰时间 1.8 μs
tRETRY 过流重试时间 4 ms
TOTSD 热关断 内核温度 TJ 150 165 180 °C
THYS_OTSD 热关断迟滞 内核温度 TJ 20 °C
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