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ZHCSMO7C June 2020 – July 2022 DRV8428

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RTE|16
- MPQF149D
PWP|16
- MPDS371A

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RTE|16
- QFND525B

订购信息

6.5 电气特性

典型值都是在 T_A = 25°C 且 V_VM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源电压（VM、DVDD）
I_VM	VM 工作电源电流	EN/nFAULT = 1，nSLEEP = 1，无电机负载		3.8	5.6	mA
I_VMQ	VM 睡眠模式电源电流	nSLEEP = 0		2	4	μA
t_SLEEP	休眠时间	nSLEEP = 0 至睡眠模式	120			μs
t_WAKE	唤醒时间	nSLEEP = 1 至输出转换		0.8	1.2	ms
t_ON	开通时间	VM > UVLO 至输出转换		0.8	1.2	ms
V_DVDD	内部稳压器电压	无外部负载，6V < V_VM < 33V	4.75	5	5.25	V
V_DVDD	内部稳压器电压	无外部负载，V_VM = 4.2V	3.9	4.05		V
逻辑电平输入（STEP、DIR、nSLEEP）
V_IL	输入逻辑低电平电压		0		0.6	V
V_IH	输入逻辑高电平电压		1.5		5.5	V
V_HYS	输入逻辑迟滞			150		mV
I_IL	输入逻辑低电平电流	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_IH	输入逻辑高电平电流	V_IN = 5V			100	μA
三电平输入 (M0)
V_I1	输入逻辑低电平电压	连接至 GND	0		0.6	V
V_I2	输入高阻态电压	高阻态	1.8	2	2.2	V
V_I3	输入逻辑高电平电压	连接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_O	输出上拉电流			10		μA
四电平输入 (M1)
V_I1	输入逻辑低电平电压	连接至 GND	0		0.6	V
V_I2		330kΩ ± 5% 至 GND	1	1.25	1.4	V
V_I3	输入高阻态电压	高阻态	1.8	2	2.2	V
V_I4	输入逻辑高电平电压	连接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_IL	输出上拉电流			10		μA
七电平输入 (DECAY/TOFF)
V_I1	电压电平 1	连接至 GND	0		0.1	V
V_I2	电压电平 2	14.7kΩ ± 1% 至 GND	0.2		0.35	V
V_I3	电压电平 3	44.2kΩ ± 1% 至 GND	0.55		0.8	V
V_I4	电压电平 4	100kΩ ± 1% 至 GND	1		1.25	V
V_I5	电压电平 5	249kΩ ± 1% 至 GND	1.5		1.75	V
V_I6	电压电平 6	高阻态	2.1		2.4	V
V_I7	电压电平 7	连接至 DVDD	3		5.5	V
I_IL	输出上拉电流			22.5		μA
控制输入/输出 (EN/nFAULT)
V_OL	输出逻辑低电平电压		0		0.6	V
R_PD2	内部下拉电阻			2		MΩ
I_L	泄漏电流	V_EN/nFAULT = 5V，故障状况			375	μA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
R_DS(ONH)	高侧 FET 导通电阻	V_VM = 24V，T_J = 25°C，I_O = -0.5A		750	875	mΩ
		V_VM = 24V，T_J = 125°C，I_O = -0.5A		1130	1350	mΩ
		V_VM = 24V，T_J = 150°C，I_O = -0.5A		1250	1450	mΩ
R_DS(ONL)	低侧 FET 导通电阻	V_VM = 24V，T_J = 25°C，I_O = 0.5A		750	875	mΩ
		V_VM = 24V，T_J = 125°C，I_O = 0.5A		1130	1350	mΩ
		V_VM = 24V，T_J = 150°C，I_O = 0.5A		1250	1450	mΩ
t_SR	输出压摆率	V_VM = 24V、I_O = 0.5A，在 10% 至 90% 之间		240		V/µs
PWM 电流控制 (VREF)
K_V	跨阻增益	VREF = 3V	2.805	3	3.195	V/A
t_OFF	PWM 关断时间，混合 30% 衰减	DECAY/TOFF = 14.7kΩ 至 GND		7		μs
		DECAY/TOFF = 44.2kΩ 至 GND		16
		DECAY/TOFF = 100kΩ 至 GND		32
	PWM 关断时间，智能调优动态衰减	DECAY/TOFF = 249kΩ 至 GND		7
		DECAY/TOFF = 高阻态		16
		DECAY/TOFF = 连接至 DVDD		32
ΔI_TRIP	电流跳变精度	I_O = 1A，10% 至 20% 电流设置	-15		15	%
		I_O = 1A，20% 至 67% 电流设置	-10		10
		I_O = 1A，68% 至 100% 电流设置	-6		6
I_O,CH	AOUT 和 BOUT 电流匹配	I_O = 1A	-2.5		2.5	%
保护电路
V_UVLO	VM UVLO 锁定	VM 下降，UVLO 下降	3.8	3.95	4.05	V
V_UVLO	VM UVLO 锁定	VM 上升，UVLO 上升	3.9	4.05	4.15	V
V_UVLO,HYS	欠压迟滞	上升至下降阈值		100		mV
I_OCP	过流保护	流经任何 FET 的电流	1.7			A
t_OCP	过流抗尖峰时间			1.8		μs
t_RETRY	过流重试时间			4		ms
T_OTSD	热关断	内核温度 T_J	150	165	180	°C
T_{HYS_OTSD}	热关断迟滞	内核温度 T_J		20		°C