ZHCSML3B June 2020 – May 2022 DRV8436
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源电压(VM、DVDD) | ||||||
IVM | VM 工作电源电流 | ENABLE = 1,nSLEEP = 1,无电机负载 | 5 |
7 |
mA | |
IVMQ | VM 睡眠模式电源电流 | nSLEEP = 0 | 2 | 4 | μA | |
tSLEEP | 睡眠时间 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 75 | μs | ||
tRESET | nSLEEP 复位脉冲 | nSLEEP 低电平至清除故障 | 18 | 35 | μs | |
tWAKE | 唤醒时间 | nSLEEP = 1 至输出转换 | 0.6 | 0.9 | ms | |
tON | 导通时间 | VM > UVLO 至输出转换 | 0.6 | 0.9 | ms | |
VDVDD | 内部稳压器电压 | 无外部负载,6V < VVM < 45V | 4.5 | 5 | 5.5 | V |
电荷泵(VCP、CPH、CPL) | ||||||
VVCP | VCP 工作电压 | VVM + 5 | V | |||
f(VCP) | 电荷泵开关频率 | VVM > UVLO;nSLEEP = 1 | 400 | kHz | ||
逻辑电平输入(STEP、DIR、nSLEEP) | ||||||
VIL | 输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.6 | V | ||
VIH | 输入逻辑高电平电压 | 1.5 | 5.5 | V | ||
VHYS | 输入逻辑迟滞 | 150 | mV | |||
IIL | 输入逻辑低电平电流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
IIH | 输入逻辑高电平电流 | VIN = 5V | 50 | μA | ||
三电平输入(M0、DECAY0、DECAY1、ENABLE) | ||||||
VI1 | 输入逻辑低电平电压 | 连接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
VI2 | 输入高阻抗电压 | Hi-Z | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
VI3 | 输入逻辑高电平电压 | 连接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
IO | 输出上拉电流 | 10 | μA | |||
四电平输入(M1、TOFF) | ||||||
VI1 | 输入逻辑低电平电压 | 连接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
VI2 | 330kΩ ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | 1.4 | V | |
VI3 | 输入高阻抗电压 | Hi-Z | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
VI4 | 输入逻辑高电平电压 | 连接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
IIL | 输出上拉电流 | 10 | μA | |||
控制输出 (nFAULT) | ||||||
VOL | 输出逻辑低电平电压 | IO = 5mA | 0.4 | V | ||
IOH | 输出逻辑高电平泄漏电流 | VVM = 24V | -1 | 1 | μA | |
电机驱动器输出(AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2) | ||||||
RDS(ONH) | 高侧 FET 导通电阻 | TJ = 25°C、IO = -1A | 450 | 550 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = -1A | 700 | 850 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = -1A | 780 | 950 | mΩ | |||
RDS(ONL) | 低侧 FET 导通电阻 | TJ = 25°C、IO = 1A | 450 | 550 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = 1A | 700 | 850 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = 1A | 780 | 950 | mΩ | |||
tSR | 输出压摆率 | VVM = 24V、IO = 0.5A,在 10% 至 90% 之间 | 150 | V/µs | ||
PWM 电流控制 (VREF) | ||||||
KV | 跨阻增益 |
VREF = 3.3V |
2.2 | V/A | ||
tOFF | PWM 关断时间 | TOFF = 0 | 7 | μs | ||
TOFF = 1 | 16 | |||||
TOFF = Hi-Z | 24 | |||||
TOFF = 330kΩ 至 GND | 32 | |||||
ΔITRIP | 电流跳变精度 | IO = 1.5A,10% 至 20% 电流设置 | –13 | 10 | % | |
IO = 1.5A,20% 至 67% 电流设置 | –8 | 8 | ||||
IO = 1.5A,67% 至 100% 电流设置 | –7.5 | 7.5 | ||||
IO,CH | AOUT 和 BOUT 电流匹配 | IO = 1.5A | -2.5 | 2.5 | % | |
保护电路 | ||||||
VUVLO | VM UVLO 锁定 | VM 下降,UVLO 下降 | 4.15 | 4.25 | 4.35 | V |
VM 上升,UVLO 上升 | 4.25 | 4.35 | 4.45 | |||
VUVLO,HYS | 欠压迟滞 | 上升至下降阈值 | 100 | mV | ||
VCPUV | 电荷泵欠压 | VCP 下降;CPUV 报告 | VVM + 2 | V | ||
IOCP | 过流保护 | 流经任何 FET 的电流 | 2.4 | A | ||
tOCP | 过流抗尖峰时间 | VVM < 37V | 3 | μs | ||
VVM >= 37V | 0.5 | |||||
tRETRY | 过流重试时间 | 4 | ms | |||
TOTSD | 热关断 | 内核温度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
THYS_OTSD | 热关断迟滞 | 内核温度 TJ | 20 | °C |