ZHCSN95A August 2022 – December 2022 DRV8452
PRODUCTION DATA
在 PWM 电流斩波期间，将启用 H 桥以驱动电流流过电机绕组，直至达到斩波电流阈值。图 7-12 的项目 1 展示了这种情况。
一旦达到斩波电流阈值后，H 桥可在两种不同的状态下运行：快速衰减或慢速衰减。
在快速衰减模式下，一旦达到 PWM 斩波电流电平，H 桥便会通过导通对侧的 MOSFET 进行状态逆转，使绕组电流反向流动。由于绕组电流接近零，因此会禁用该电桥，以防止进一步出现反向流动的电流。图 7-12 的项目 2 展示了快速衰减模式。
在慢速衰减模式下，通过启用 H 桥中的两个低侧 MOSFET 来实现绕组电流的再循环。图 7-12 的项目 3 展示了这种情况。
衰减模式通过 DECAY 寄存器或者 DECAY0 和 DECAY1 引脚来选择，如表 7-18 所示。该器件支持动态更改衰减模式。
SPI 接口 | H/W 接口 | 衰减模式 | |
|---|---|---|---|
| DECAY | DECAY0 | DECAY1 | |
| 000b | 高阻态 | 1 | 慢速衰减 |
| 100b | 1 | 0 | 混合衰减：快 30% |
| 101b | 高阻态 | 0 | 混合衰减：快 60% |
| 110b | 0 | 0 | 智能调优动态衰减 |
| 111b（默认值） | 0 | 1 | 智能调优纹波控制 |
DECAY 位的其余设置（001b、010b、011b）和（DECAY0 = 1，DECAY1 = 1）设置被保留。
DRV8452 还具有静音步进衰减模式，可在低速和静止状态下实现超静音工作。详细信息，请参阅Topic Link Label7.3.11。