ZHCSN95A August 2022 – December 2022 DRV8452
PRODUCTION DATA
对于在全桥内连接的电机而言,电流路径为通过一个半桥的高侧 FET 和另一个半桥的低侧 FET。导通损耗 (PCOND) 取决于电机的均方根电流 (IRMS) 以及高侧 (RDS(ONH)) 和低侧 (RDS(ONL)) 的导通电阻(如 所示)Equation16。
表 8-1 中计算了Equation17 中显示的典型应用的导通损耗。
这种功率计算在很大程度上取决于器件温度,而器件温度对 FET 的高侧和低侧的导通电阻有很大影响。为了更准确地计算该值,应考虑器件温度对 FET 导通电阻的影响。