ZHCSN95A August 2022 – December 2022 DRV8452
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源电压(VM、DVDD) | ||||||
IVM | VM 工作电源电流 | ENABLE = 1,nSLEEP = 1,无电机负载,VCC = 外部 5V | 5 | 8.5 | mA | |
ENABLE = 1,nSLEEP = 1,无电机负载,VCC = DVDD | 8 | 12 | ||||
IVMQ | VM 睡眠模式电源电流 | nSLEEP = 0 | 3 | 8 | μA | |
tSLEEP | 睡眠时间 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 120 | μs | ||
tRESET | nSLEEP 复位脉冲 | nSLEEP 低电平至清除故障 | 20 | 40 | μs | |
tWAKE | 唤醒时间 | H/W 接口,nSLEEP = 1 至输出转换 | 0.85 | 1.2 | ms | |
SPI 接口,nSLEEP = 1 至 SPI 就绪 | 0.15 | 0.25 | ms | |||
tON | 开通时间(1) | VM > UVLO 至输出转换 | 1 | 1.3 | ms | |
VDVDD | 内部稳压器电压 | 无外部负载,6V < VVM < 48V | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
无外部负载,VVM = 4.5V | 4.2 | 4.35 | V | |||
电荷泵(VCP、CPH、CPL) | ||||||
VVCP | VCP 工作电压 | 6V < VVM < 48V | VVM + 5 | V | ||
f VCP | 电荷泵开关频率 | VVM > UVLO;nSLEEP = 1 | 357 | kHz | ||
fCLK | 内部数字时钟频率 | VVM > UVLO;nSLEEP = 1 | 10 | MHz | ||
逻辑电平输入(STEP、DIR、MODE、DECAY1、nSCS、SCLK、SDI、nSLEEP) | ||||||
VIL | 输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.6 | V | ||
VIH | 输入逻辑高电平电压(除 DECAY1 外的所有引脚) | 1.5 | 5.5 | V | ||
VIH_DECAY1 | 输入逻辑高电平电压(DECAY1 引脚) | 2.7 | 5.5 | V | ||
VHYS | 输入逻辑迟滞(除 nSLEEP 以外的所有引脚) | 100 | mV | |||
VHYS_SLEEP | nSLEEP 逻辑迟滞 | 300 | mV | |||
IIL | 输入逻辑低电平电流(除 nSCS 外的所有引脚) | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
IIL_nSCS | nSCS 逻辑低电平电流 | nSCS = 0V | 8 | 12 | μA | |
IIH | 输入逻辑高电平电流(除 nSCS 外的所有引脚,200k 内部下拉电阻) | VIN = DVDD | 50 | μA | ||
IIH_nSCS | nSCS 逻辑高电平电流 | nSCS = DVDD | 0.1 | μA | ||
三电平输入(M0、DECAY0、ENABLE) | ||||||
VI1_tri | 输入逻辑低电平电压 | 连接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
VI2_tri | 输入高阻抗电压 | 高阻态 | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
VI3_tri | 输入逻辑高电平电压 | 连接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
IO_tri | 输出上拉电流 | 10.5 | μA | |||
四电平输入(M1、TOFF) | ||||||
VI1_quad | 输入逻辑低电平电压 | 连接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
VI2_quad | 输入二级电压 | 330kΩ ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | 1.4 | V |
VI3_quad | 输入高阻抗电压 | 高阻态 | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
VI4_quad | 输入逻辑高电平电压 | 连接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
IO_quad | 输出上拉电流 | 10.5 | μA | |||
推挽式输出 (SDO) | ||||||
RPD,SDO | 内部下拉电阻 | 5mA 负载,以 GND 为基准 | 30 | 70 | Ω | |
RPU,SDO | 内部上拉电阻 | 5mA 负载,以 VCC 为基准 | 60 | 110 | Ω | |
ISDO | SDO 漏电流(1) | VVM > 6V,SDO = VCC 和 0V | -2.5 | 2.5 | μA | |
控制输出(nFAULT,nHOME) | ||||||
VOL | 输出逻辑低电平电压 | IO = 5mA | 0.35 | V | ||
IOH | 输出逻辑高电平漏电流 | -1 | 1 | μA | ||
电机驱动器输出(AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2) | ||||||
RDS(ONH,DDW) | 高侧 FET 导通电阻, DDW 封装 | TJ = 25°C、IO = -5A | 53 | 60 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = -5A | 80 | 94 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = -5A | 90 | 107 | mΩ | |||
RDS(ONL,DDW) | 低侧 FET 导通电阻, DDW 封装 | TJ = 25°C、IO = 5A | 53 | 60 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = 5A | 80 | 94 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = 5A | 90 | 107 | mΩ | |||
RDS(ONH,PWP) | 高侧 FET 导通电阻, PWP 封装 | TJ = 25°C、IO = -4 A | 55 | 66 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = -4 A | 83 | 100 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = -4 A | 94 | 116 | mΩ | |||
RDS(ONL,PWP) | 低侧 FET 导通电阻, PWP 封装 | TJ = 25°C、IO = 4 A | 55 | 66 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = 4 A | 83 | 100 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = 4 A | 94 | 116 | mΩ | |||
ILEAK | 禁用模式下输出到接地的漏电流(1) | H 桥处于高阻态,VVM = 48V | 200 | μA | ||
tRF | 输出上升/下降时间 | H/W 接口,IO = 5A,介于 10% 和 90% 之间 | 140 | ns | ||
SPI 接口,SR = 0b,IO = 5A,介于 10% 和 90% 之间 | 140 | |||||
SPI 接口,SR = 1b,IO = 5A,介于 10% 和 90% 之间 | 70 | |||||
tD | 输出死区时间 | VM = 24V,IO = 5A | 300 | ns | ||
PWM 电流控制 (VREF) | ||||||
KV | 跨阻增益 | VREF = 3.3V | 0.625 | 0.66 | 0.695 | V/A |
IVREF | VREF 引脚漏电流 | VREF = 3.3V | 20 | nA | ||
tOFF | PWM 关断时间 | TOFF = 0 或 TOFF = 00b | 9 | μs | ||
TOFF = 1 或 TOFF = 01b | 19 | |||||
TOFF = 高阻态或 TOFF = 10b | 27 | |||||
TOFF = 330kΩ 至 GND 或 TOFF = 11b | 35 | |||||
ΔITRIP_EXT | 电流跳变精度,外部 VREF 输入 | 10% 至 20% 满量程电流 | -12 | 12 | % | |
20% 至 40% 满量程电流 | -7.5 | 7.5 | ||||
40% 至 100% 满量程电流 | -5 | 5 | ||||
ΔITRIP_INT | 电流跳变精度,内部 VREF | 10% 至 20% 满量程电流 | -12 | 12 | % | |
20% 至 40% 满量程电流 | -8 | 8 | ||||
40% 至 100% 满量程电流 | -6 | 5 | ||||
IO,CH | AOUT 和 BOUT 电流匹配 | 100% 满量程电流 | -2.5 | 2.5 | % | |
tBLK | 电流调节消隐时间 | SPI 接口,TBLANK_TIME = 00b | 1 | μs | ||
H/W 接口或 SPI 接口,TBLANK_TIME = 01b | 1.5 | |||||
SPI 接口,TBLANK_TIME = 10b | 2 | |||||
SPI 接口,TBLANK_TIME = 11b | 2.5 | |||||
tDEG | 电流调节抗尖峰脉冲时间 | 0.5 | μs | |||
保护电路 | ||||||
VMUVLO | VM UVLO 锁定 | VM 下降 | 4.1 | 4.25 | 4.35 | V |
VM 上升 | 4.2 | 4.35 | 4.46 | |||
VCCUVLO | VCC UVLO 锁定 | VCC 连接到外部电压,VCC 下降 | 2.7 | 2.8 | 2.9 | V |
VCC 连接到外部电压,VCC 上升 | 2.8 | 2.9 | 3.05 | |||
VUVLO,HYS | 欠压迟滞 | 上升至下降阈值 | 100 | mV | ||
VRST | VM UVLO 复位 | VCC = DVDD,SPI 接口,VM 下降,器件复位,无 SPI 通信 | 3.4 | V | ||
VCPUV | 电荷泵欠压 | VCP 下降 | VVM + 2 | V | ||
IOCP | 过流保护 | 流经任何 FET 的电流 | 7.6 | A | ||
tOCP | 过流检测延迟 | H/W 接口 | 2.2 | μs | ||
SPI 接口,TOCP = 0b | 1.2 | |||||
SPI 接口,TOCP = 1b | 2.2 | |||||
tRETRY | 过流重试时间 | 4.1 | ms | |||
tOL | 开路负载检测时间 | H/W 接口 | 60 | ms | ||
SPI 接口,OL_T = 00b | 30 | |||||
SPI 接口,OL_T = 01b | 60 | |||||
SPI 接口,OL_T = 10b | 120 | |||||
IOL | 开路负载电流阈值 | 190 | mA | |||
TOTW | 过热警告 | SPI 接口,内核温度 TJ | 135 | 150 | 165 | °C |
THYS_OTW | 过热警告迟滞 | SPI 接口,内核温度 TJ | 20 | °C | ||
TOTSD | 热关断 | 内核温度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
THYS_OTSD | 热关断迟滞 | 内核温度 TJ | 20 | °C |