ZHCSRF9A December 2022 – October 2023 DRV8461
PRODUCTION DATA
在 PWM 电流斩波期间,将启用 H 桥以驱动电流流过电机绕组,直至达到 PWM 电流斩波阈值。图 7-12 的项目 1 中展示了这种情况。
一旦达到斩波电流阈值后,H 桥可在两种不同的状态下运行:快速衰减或慢速衰减。
在快速衰减模式下,一旦达到 PWM 斩波电流电平,H 桥便会通过导通对侧的 MOSFET 进行状态逆转,使绕组电流反向流动。由于绕组电流接近零,因此会禁用该电桥,以防止进一步出现反向流动的电流。图 7-12 的项目 3 中展示了快速衰减模式。
在慢速衰减模式下,通过启用 H 桥中的两个低侧 MOSFET 来实现绕组电流的再循环。图 7-12 的项目 2 中展示了这种情况。
衰减模式通过 DECAY 寄存器或者 DECAY0 和 DECAY1 引脚来选择,如表 7-19 所示。该器件支持动态更改衰减模式。
SPI 接口 | H/W 接口 | 衰减模式 | |
---|---|---|---|
DECAY | DECAY0 | DECAY1 | |
000b | 高阻态 | 1 | 慢速衰减 |
100b | 1 | 0 | 混合衰减:快 30% |
101b | 高阻态 | 0 | 混合衰减:快 60% |
110b | 0 | 0 | 智能调优动态衰减 |
111b(默认值) | 0 | 1 | 智能调优纹波控制 |
DECAY 位的其余设置(001b、010b、011b)和(DECAY0 = 1,DECAY1 = 1)设置被保留。
DRV8461 还具有静音步进衰减模式,可在低速和静止状态下实现超静音工作。详情请参见节 7.3.12。