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ZHCSO98A May 2023 – October 2023 DRV8849

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RHH|36
- MPQF144E

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.5 电气特性

典型值都是在 T_A = 25°C 且 V_VM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源 (VM)
I_VM	VM 工作电源电流	ENABLE = 1，nSLEEP = 1，无电机负载		6	8	mA
		nSLEEP = 1，输出关闭		5.5	7	mA
		nSLEEP = 0		1.3	3	μA
t_SLEEP	睡眠时间	nSLEEP = 0 以进入睡眠模式	120			μs
t_RESET	nSLEEP 复位脉冲	nSLEEP 低电平至清除故障	20		40	μs
t_ON	导通时间	VM > UVLO 至输出转换		0.62	0.8	ms
t_WAKE	唤醒时间	nSLEEP = 1 至输出转换		0.62	0.8	ms
t_EN	启用时间	ENABLE = 0/1 至输出转换			1	μs
电荷泵（VCP、CP1、CP2）
V_VCP	VCP 工作电压	6V < V_VM < 38V		V_VM + 5		V
f_(VCP)	电荷泵开关频率	V_VM > UVLO，nSLEEP = 1		380		kHz
逻辑电平输入（STEP、DIR、nSLEEP）
V_IL	输入逻辑低电平电压		0		0.8	V
V_IH	输入逻辑高电平电压		2		5.5	V
V_HYS	输入逻辑迟滞		150	300	500	mV
I_INL	逻辑输入低电流	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_INH	逻辑输入高电流	V_IN = 5V			30	μA
三电平输入（MODE0x、ENABLE）
V_I1	输入逻辑低电平电压	连接至 GND	0		0.6	V
V_I2	输入高阻抗电压	高阻态	1.8	2	2.2	V
V_I3	输入逻辑高电平电压	连接至 5V	2.7		5.5	V
I_O	输入上拉电流			10		μA
四电平输入（MODE1x、DECAYx）
V_I1	输入逻辑低电平电压	连接至 GND	0		0.6	V
V_I2		330kΩ ± 5% 至 GND	1	1.25	1.4	V
V_I3	输入高阻抗电压	高阻态	1.8	2	2.2	V
V_I4	输入逻辑高电平电压	连接至 5V	2.7		5.5	V
I_O	输入上拉电流			10		μA
控制输出 (nFAULTx)
V_OL	输出逻辑低电平电压	I_O = 5mA			0.2	V
I_OH	输出逻辑高电平漏电流	VMx = 24V	-1		1	μA
电机驱动器输出
R_DS(ONH)	高侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = -1.2 A		450	550	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = -1.2 A		700	850	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = -1.2 A		780	950	mΩ
R_DS(ONL)	低侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = 1.2 A		450	550	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = 1.2 A		700	850	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = 1.2 A		780	950	mΩ
V_f，输出		I_O = ± 1.2A			1.2	V
I_DSS	输出泄漏	输出，V_OUT = 0 至 VM	-2		7	μA
t_SR	输出上升/下降时间	VM = 24V，I_O = 1.2 A，介于 10% 和 90% 之间		100		ns
t_D	死区时间			425		ns
t_BLANK	电流检测消隐时间 ^(⁽¹⁾)			1		μs
PWM 电流控制 (VREFx)
K_V	跨阻增益	VREF = 3.3V	2.09	2.2	2.31	V/A
I_VREFx	VREFx 引脚基准输入电流		-1		1	μA
t_OFF	PWM 关断时间	DECAYx = 1		16		μs
		DECAYx = 高阻态		32
		DECAYx = 330kΩ 至 GND		8
I_O,CH	AOUT 和 BOUT 电流匹配	I_O = 1.5A	-2.5		2.5	%
ΔI_TRIP	电流跳变精度	I_O = 1.5A，68% 至 100% 电流设置	-5		5	%
		I_O = 1.5A，20% 至 67% 电流设置	-10		10
		I_O = 1.5A，10% 至 20% 电流设置	-15		15
保护电路
VM_UVLO	VM UVLO 阈值	VM 下降	4.1	4.25	4.35	V
VM_UVLO	VM UVLO 阈值	VM 上升	4.2	4.34	4.45	V
VM_UVLO,HYS	VM UVLO 磁滞	上升至下降阈值		90		mV
V_CPUV	电荷泵欠压	VCP 下降		V_VM + 2		V
I_OCP	过流保护	流经任何 FET 的电流	2.5			A
t_OCP	过流抗尖峰时间			2.1		μs
t_RETRY	过流重试时间			4		ms
T_OTSD	热关断	内核温度 T_J	155	165	175	°C
T_{HYS_OTSD}	热关断迟滞	内核温度 T_J		20		受设计保证。

(1)

受设计保证。