DRV887x-Q1 系列器件是能够驱动高电流的集成式功率 MOSFET 器件，因此应特别注意布局设计和外部元件的放置。下面提供了一些设计和布局指南。

• 对于 VM 至 GND 旁路电容器、VCP 至 VM 电荷泵储能电容器和电荷泵飞跨电容器，应使用低 ESR 陶瓷电容器。建议使用 X5R 和 X7R 类型的电容器。
• VM 电源和 VCP、CPH、CPL 电荷泵电容器应尽可能靠近器件放置，以最大限度地减小回路电感。
• VM 电源大容量电容器可以是陶瓷电容器或电解电容器，但也应尽可能靠近器件放置，以最大限度地减小回路电感。
• VM、OUT1、OUT2 和 PGND 承载着从电源传输到输出、然后重新传回到接地端的高电流。对于这些迹线，应使用厚金属布线（如果可行）。
• PGND 和 GND 应同时直接连接到 PCB 接地平面上。不能将它们用于相互隔离用途。
• 应通过热通路将器件散热焊盘连接到 PCB 顶层接地平面和内部接地平面（如果可用）上，以获得最强的 PCB 散热能力。
• “封装图”一节中提供了建议用于热通路的焊盘图案。
• 应尽可能扩大连接到散热焊盘的铜平面面积，以确保获得最佳散热效果。