IPROPI 引脚会输出与流经 H 桥中的低侧功率 MOSFET 的电流成正比并经过 A_IPROPI 调节的模拟电流。可以使用Equation1 计算出 IPROPI 输出电流。只有当电流在低侧 MOSFET 中从漏极流向源极时，Equation1 中的 I_LSx 才有效。如果电流从源极流向漏极，则该通道的 I_LSx 值为零。例如，如果电桥处于制动、慢速衰减状态，则 IPROPI 外的电流仅与其中一个低侧 MOSFET 中的电流成正比。

此电流由内部电流镜架构测得，无需使用外部功率感测电阻器。此外，电流镜架构还允许在驱动和制动低侧慢速衰减期间感测电机绕组电流，从而在典型双向有刷直流电机应用中持续监测电流。在滑行模式下，电流是续流电流，无法被感测到，原因是电流从源极流向漏极。但是，可以在驱动或慢速衰减模式下短暂重新启用驱动器，并在再次切换回滑行模式之前测量此电流，从而对电流进行采样。当处于独立的 PWM 模式且两个低侧 MOSFET 同时传导电流时，IPROPI 输出将是这两个低侧 MOSFET 电流的总和。

应将 IPROPI 引脚连接到外部电阻器 (R_IPROPI) 以接地，从而利用 I_IPROPI 模拟电流输出在 IPROPI 引脚上产生一个成比例电压 (V_IPROPI)。这样即可使用标准模数转换器 (ADC) 将负载电流作为 R_IPROPI 电阻器两端的压降进行测量。可以根据应用中的预期负载电流来调节 R_IPROPI 电阻器的大小，以利用控制器 ADC 的整个量程。此外，DRV887x-Q1 器件还采用了一个内部 IPROPI 电压钳位电路，可相对于 VREF 引脚上的 V_VREF 限制 V_IPROPI，并在发生输出过流或意外高电流事件时保护外部 ADC。

可以使用Equation2 计算对应于输出电流的 IPROPI 电压。

图 7-2 集成电流感测

IPROPI 输出带宽受 DRV887x-Q1 内部电流感测电路感测延迟时间 (t_DELAY) 的限制。此时间是指从低侧 MOSFET 启用命令（来自 PH/EN 引脚的 INx）到 IPROPI 输出准备就绪这两个时间点之间的延迟。在 H 桥 PWM 信号中，如果器件在驱动和慢速衰减（制动）之间交替切换，则感测电流的低侧 MOSFET 会持续导通，但感测延迟时间对 IPROPI 输出不会产生任何影响。如果 INx 或 PH/EN 引脚上的命令禁用低侧 MOSFET（根据Topic Link Label7.3.2中的逻辑表），则 IPROPI 输出将与输入逻辑信号一同禁用。虽然低侧 MOSFET 在根据器件压摆率（在“电气特性”表中以 t_RISE 时间表示）禁用时仍可能传导电流，但 IPROPI 并不表示此关断时间内低侧 MOSFET 中的电流。