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ZHCSJU0B August 2019 – January 2021 DRV8874-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

6.5 电气特性

4.5V ≤ V_VM ≤ 37V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源（VCP、VM）
I_VMQ	VM 睡眠模式电流	V_VM = 13.5V、nSLEEP = 0V、T_J = 25°C		0.75	1	µA
I_VMQ	VM 睡眠模式电流	nSLEEP = 0V			5	µA
I_VM	VM 活动模式电流	V_VM = 13.5V，nSLEEP = 5V， EN/IN1 = PH/IN2 = 0V		3	7	mA
t_WAKE	开通时间	V_VM > V_UVLO、nSLEEP = 5V 至活动模式			1	ms
t_SLEEP	关断时间	nSLEEP = 0V 进入睡眠模式			1	ms
V_VCP	电荷泵稳压器电压	VCP 相对于 VM，V_VM = 13.5V		5		V
f_VCP	电荷泵开关频率			400		kHz
逻辑电平输入（EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP）
V_IL	输入逻辑低电压	V_VM < 5V	0		0.7	V
V_IL	输入逻辑低电压	V_VM ≥ 5V	0		0.8	V
V_IH	输入逻辑高电压		1.5		5.5	V
V_HYS	输入滞后			200		mV
V_HYS	输入滞后	nSLEEP		50		mV
I_IL	输入逻辑低电平电流	V_I = 0V	-5		5	µA
I_IH	输入逻辑高电流	V_I = 5V		50	75	µA
R_PD	输入下拉电阻	至 GND		100		kΩ
三电平输入 (PMODE)
V_TIL	三电平输入逻辑低电压		0		0.65	V
V_TIZ	三电平输入高阻抗电压	4.5 V < V_VM < 5.5 V	0.9	1.0	1.1	V
V_TIZ	三电平输入高阻抗电压	5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	0.9	1.1	1.2	V
V_TIH	三电平输入逻辑高电压		1.5		5.5	V
I_TIL	三电平输入逻辑低电流	V_I = 0V	–50	-32		µA
I_TIZ	三电平输入高阻抗电流	V_I = 1.1V	-10		10	µA
I_TIH	三电平输入逻辑高电流	V_I = 5V		113	150	µA
R_TPD	三电平下拉电阻	至 GND		44		kΩ
R_TPU	三电平上拉电阻	至内部 5V		156		kΩ
四电平输入 (IMODE)
V_QI2	四电平输入电平 1	电压至所设置的四电平 1	0		0.45	V
R_QI2	四电平输入电平 2	电阻至 GND 至所设置的四电平 2	18.6	20	21.4	kΩ
R_QI3	四电平输入电平 3	电阻至 GND 至所设置的四电平 3	57.6	62	66.4	kΩ
V_QI4	四电平输入电平 4	电压至所设置的四电平 4	2.5		5.5	V
R_QPD	四电平下拉电阻	至 GND		136		kΩ
R_QPU	四电平上拉电阻	至内部 5V		68		kΩ
开漏输出 (nFAULT)
V_OL	输出逻辑低电压	I_OD = 5mA			0.3	V
I_OZ	输出逻辑高电流	V_OD = 5V	-2		2	µA
驱动器输出（OUT1、OUT2）
R_{DS(on)_HS}	高侧 MOSFET 导通电阻	V_VM = 13.5V、I_O = 2A、T_J = 25°C		100	120	mΩ
R_{DS(on)_HS}	高侧 MOSFET 导通电阻	V_VM = 13.5V、I_O = 2A、T_J = 150°C		160	190	mΩ
R_{DS(on)_LS}	低侧 MOSFET 导通电阻	V_VM = 13.5V、I_O = -2A、T_J = 25°C		100	120	mΩ
R_{DS(on)_LS}	低侧 MOSFET 导通电阻	V_VM = 13.5V、I_O = -2A、T_J = 150°C		160	190	mΩ
V_SD	体二极管正向电压	I_SD = 1A		0.9		V
t_RISE	输出上升时间	V_VM = 13.5V，OUTx 上升 10% 至 90%		500		ns
t_FALL	输出下降时间	V_VM = 13.5V，OUTx 下降 90% 至 10%		500		ns
t_PD	输入至输出传播延迟	EN/IN1，PH/IN2 至 OUTx，从 OUTx 至 GND 为 200Ω		1.75		µs
t_DEAD	输出死区时间	体二极管导通		750		ns
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
A_IPROPI	电流镜比例因数			450		µA/A
A_ERR⁽¹⁾	电流镜比例误差	I_OUT < 0.4A 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	–30		30	mA
		0.4A ≤ I_OUT < 1A 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	–7.5		7.5	%
		1A ≤ I_OUT < 2A 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	-6		6
		2A ≤ I_OUT ≤ 4A 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	-5.5		5.5
t_OFF	电流调节关断时间			25		µs
t_DELAY	电流感测延迟时间			6		µs
t_DEG	电流调节抗尖峰脉冲时间			1.7		µs
t_BLK	电流调节消隐时间			2.7		µs
保护电路
V_UVLO	电源欠压锁定 (UVLO)	V_VM 上升	4.3	4.45	4.6	V
V_UVLO	电源欠压锁定 (UVLO)	V_VM 下降	4.2	4.35	4.5	V
V_{UVLO_HYS}	电源 UVLO 迟滞			100		mV
t_UVLO	电源欠压抗尖峰脉冲时间			10		µs
V_CPUV	电荷泵欠压锁定	VCP 相对于 VM，V_VCP 下降		2.25		V
I_OCP	过流保护跳变点		6	10		A
t_OCP	过流保护抗尖峰脉冲时间			3		µs
t_RETRY	过流保护重试时间			2		ms
T_TSD	热关断温度		160	175	190	°C
T_HYS	热关断迟滞			20		°C

(1) 在低电流下，IPROPI 输出相对于通过低侧功率 MOSFET 的 I_OUT 电流具有固定的偏移量误差。

图 6-1 时序参数图

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.5 电气特性