ZHCSJR0A October   2018  – MAY 2019 DRV8876

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能 说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 控制模式
        1. 7.3.2.1 PH/EN 控制模式（PMODE = 逻辑低电平）
        2. 7.3.2.2 PWM 控制模式（PMODE = 逻辑高电平）
        3. 7.3.2.3 独立半桥控制模式（PMODE = 高阻抗）
      3. 7.3.3 电流检测和调节
        1. 7.3.3.1 电流检测
        2. 7.3.3.2 电流调节
          1. 7.3.3.2.1 固定关断时间电流斩波
          2. 7.3.3.2.2 逐周期电流斩波
      4. 7.3.4 保护电路
        1. 7.3.4.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.4.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.4.3 OUT 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.4.4 热关断 (TSD)
        5. 7.3.4.5 故障条件汇总
      5. 7.3.5 引脚图
        1. 7.3.5.1 逻辑电平输入
        2. 7.3.5.2 三电平输入
        3. 7.3.5.3 四电平输入
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 活动模式
      2. 7.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.4.3 故障模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 主要应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计流程
          1. 8.2.1.2.1 电流检测和调节
          2. 8.2.1.2.2 功率耗散和输出电流能力
          3. 8.2.1.2.3 热性能
            1. 8.2.1.2.3.1 稳态热性能
            2. 8.2.1.2.3.2 瞬态热性能
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 备选应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计流程
          1. 8.2.2.2.1 电流检测和调节
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 HTSSOP 布局示例
      2. 10.2.2 VQFN 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGT|16
  • PWP|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4 热性能信息

热指标(1) DRV8876 DRV8876 单位
RGT (VQFN) PWP (HTSSOP)
16 引脚 16 引脚
RθJA 结至环境热阻 45.9 44.3 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 48.8 38.3 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 19.9 20.5 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 1.1 1.0 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 19.9 20.4 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 7.1 5.0 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。
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