ZHCSJR0A October 2018 – MAY 2019 DRV8876
PRODUCTION DATA.
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
如果 PMODE 引脚在加电时处于高阻抗状态,器件将锁存至独立半桥控制模式。此模式允许直接控制每个半桥,以支持高侧慢速衰减或者驱动两个独立的负载。Table 5 显示了独立半桥模式的真值表。
在独立半桥控制模式下,仍然可以使用电流检测和反馈,但内部电流调节功能会被禁用,因为每个半桥都是独立运行的。此外,如果两个低侧 MOSFET 在同时传导电流,则经过 IPROPI 调节的输出将是电流的总和。请参阅电流检测和调节了解更多信息。
nSLEEP | INx | OUTx | 说明 |
---|---|---|---|
0 | X | Hi-Z | 睡眠(H 桥高阻抗) |
1 | 0 | L | OUTx 低侧导通 |
1 | 1 | H | OUTx 高侧导通 |