ZHCSJR0A October 2018 – MAY 2019 DRV8876
PRODUCTION DATA.
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
IPROPI 引脚会输出与流经 H 桥中的低侧功率 MOSFET 的电流成正比并经过 AIPROPI 调节的模拟电流。可以使用Equation 1 计算出 IPROPI 输出电流。
此电流由内部电流镜架构测得,无需使用外部功率检测电阻器。此外,电流镜架构还允许在驱动和制动低侧慢速衰减期间检测电机绕组电流,从而在典型双向有刷直流电机 应用中连续监控电流。在滑行模式下,电流是续流电流,无法被检测到,但可以在驱动或慢速衰减模式下短暂重新启用驱动器并在再次切换回滑行模式之前测量此电流,从而对其进行采样。当处于独立的 PWM 模式且两个低侧 MOSFET 在同时传导电流时,IPROPI 输出将是这两个低侧 MOSFET 电流的总和。
应将 IPROPI 引脚连接到外部电阻器 (RIPROPI) 以接地,从而利用 IIPROPI 模拟电流输出在 IPROPI 引脚上产生一个比例电压 (VIPROPI)。这样即可使用标准模数转换器 (ADC) 将负载电流作为 RIPROPI 电阻器两端的压降进行测量。可以根据应用中的预期负载电流调节 RIPROPI 电阻器的大小,以利用控制器 ADC 的整个量程。此外,DRV887x 器件还采用了一个内部 IPROPI 电压钳位电路,可相对于 VREF 引脚上的 VVREF 限制 VIPROPI,并在发生输出过流或意外高电流事件时保护外部 ADC。
可以使用Equation 2 计算对应于输出电流的 IPROPI 电压。
IPROPI 输出带宽受 DRV887x 内部电流检测电路的检测延迟时间 (tDELAY) 限制。此时间是指从低侧 MOSFET 启用命令到 IPROPI 输出准备就绪这两个时间点之间的延迟。在 H 桥 PWM 信号中,如果器件在驱动和慢速衰减(制动)之间交替切换,则检测电流的低侧 MOSFET 会持续导通,但检测延迟时间对 IPROPI 输出不会产生任何影响。