7.3.4.3 OUT 过流保护 (OCP)

即使发生了硬短路事件，每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路也会限制器件输出的峰值电流。

如果输出电流超过过流阈值 I_OCP 且持续时间超过 t_OCP，则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。可以通过 IMODE 引脚配置过流响应，如Table 6 中所示。

在自动重试模式下，MOSFET 会禁用，nFAULT 引脚将在 t_RETRY 的持续时间内被驱动为低电平。在 t_RETRY 之后，MOSFET 会根据 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚的状态重新启用。如果过流条件仍然存在，则会重复此周期，否则器件将恢复正常运行。

在锁存模式下，会一直禁用 MOSFET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平，直到通过 nSLEEP 引脚或通过切断 VM 电源重置器件为止。

在独立半桥控制模式（PMODE = 高阻抗）中，OCP 行为略有改动。如果检测到过流事件，将只禁用相应的半桥并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。另一个半桥会继续正常运行。这样，器件就可以在驱动独立的负载时管理独立的故障事件。如果在两个半桥中都检测到过流事件，将同时禁用两个半桥并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。在自动重试模式下，两个半桥共享同一个过流重试计时器。如果两个半桥先后发生过流事件但 t_RETRY 尚未过期，则第一个半桥的重试计时器会重置为 t_RETRY；当此重试计时器过期之后，两个半桥将再次同时启用。