ZHCSJR0A October 2018 – MAY 2019 DRV8876
PRODUCTION DATA.
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
如果裸片温度超过过热限制 TTSD,则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。当过热条件消失且裸片温度降至 VTSD 阈值以下时,将恢复正常运行。