ZHCSK46A August 2019 – April 2021 DRV8876N
PRODUCTION DATA
此器件的输出电流和功率耗散能力在很大程度上取决于 PCB 设计和外部系统状况。本节提供了一些用于计算这些值的指导信息。
此器件的总功率耗散由三个主要部分组成。这三个组成部分是静态电源电流损耗、功率 MOSFET 开关损耗和功率 MOSFET RDS(on)(导通)损耗。虽然其他因素可能会造成额外的功率损耗,但与这三个主要因素相比,其他因素通常并不重要。
可以根据标称电源电压 (VM) 和 IVM 活动模式电流规格来计算 PVM。
可以根据标称电源电压 (VM)、平均输出电流 (IRMS)、开关频率 (fPWM) 以及器件输出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 时间规格来计算 PSW。
可以根据器件 RDS(on) 和平均输出电流 (IRMS) 来计算 PRDS。
需要注意的是,RDS(ON) 与器件的温度密切相关。可以在“典型特性”曲线中找到一条显示了标称 RDS(on) 和温度的曲线。假设器件温度为 85°C,根据标称温度数据,预计 RDS(on) 会增大约 1.25 倍。
通过将功率耗散的各个组成部分相加,可以确认预计的功率耗散和器件结温处于设计目标内。
可以使用 PTOT、器件环境温度 (TA) 和封装热阻 (RθJA) 来计算器件结温。RθJA 的值在很大程度上取决于 PCB 设计以及器件周围的铜散热器。
应确保器件结温处于指定的工作范围内。也可以通过其他方法根据可用的测量结果来确认器件结温。
可以在Topic Link Label8.2.1.2.2和Topic Link Label11.1.1中找到有关电机驱动器电流额定值和功率耗散的其他信息。