DRV887x 系列器件提供了三种模式，支持对 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚采用不同的控制方案。通过 PMODE 引脚选择控制模式：逻辑低电平、逻辑高电平或者设置引脚高阻抗，如表 7-2 中所示。通过 nSLEEP 引脚启用器件之后，PMODE 引脚状态会被锁存。通过设置 nSLEEP 引脚逻辑低电平、等待 t_SLEEP 时间、更改 PMODE 引脚输入，然后将 nSLEEP 引脚恢复为逻辑高电平以启用器件，可以更改 PMODE 的状态。

图 7-1 H 桥状态

输入端可接受 100% 或 PWM 驱动模式的静态或脉宽调制 (PWM) 电压信号。在应用 VM 之前，可以为器件输入引脚供电而不会出现任何问题。默认情况下，EN/IN1 和 PH/IN2 引脚具有一个内部下拉电阻器，可确保在不存在任何输入时提供高阻抗输出。

以下部分提供了每种控制模式的真值表。此外，当在半桥的高侧和低侧 MOSFET 之间切换时，DRV887x 系列器件会自动生成死区时间。

图 7-1 介绍了各种 H 桥状态的命名和配置。