ZHCSK46A August 2019 – April 2021 DRV8876N
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 修订历史记录
- 5 引脚配置和功能
- 6 规格
- 7 详细说明
- 8 应用和实现
- 9 电源相关建议
- 10布局
- 11器件和文档支持
- 12机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
- PWP|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
- PWP|16
订购信息
6.5 电气特性
4.5V ≤ VVM ≤ 37V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源（VCP、VM） | ||||||
| IVMQ | VM 睡眠模式电流 | VVM = 24V、nSLEEP = 0V、TJ = 25°C | 0.75 | 1 | µA | |
| nSLEEP = 0V | 5 | µA | ||||
| IVM | VM 活动模式电流 | VVM = 24V，nSLEEP = 5V， EN/IN1 = PH/IN2 = 0V | 3 | 7 | mA | |
| tWAKE | 开通时间 | VVM > VUVLO、nSLEEP = 5V 至活动模式 | 1 | ms | ||
| tSLEEP | 关断时间 | nSLEEP = 0V 进入睡眠模式 | 1 | ms | ||
| VVCP | 电荷泵稳压器电压 | VCP 相对于 VM，VVM = 24V | 5 | V | ||
| fVCP | 电荷泵开关频率 | 400 | kHz | |||
| 逻辑电平输入（EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP） | ||||||
| VIL | 输入逻辑低电压 | VVM < 5V | 0 | 0.7 | V | |
| VVM ≥ 5V | 0 | 0.8 | ||||
| VIH | 输入逻辑高电压 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 输入滞后 | 200 | mV | |||
| nSLEEP | 50 | mV | ||||
| IIL | 输入逻辑低电流 | VI = 0V | -5 | 5 | µA | |
| IIH | 输入逻辑高电流 | VI = 5V | 50 | 75 | µA | |
| RPD | 输入下拉电阻 | 至 GND | 100 | kΩ | ||
| 三电平输入 (PMODE) | ||||||
| VTIL | 三电平输入逻辑低电压 | 0 | 0.65 | V | ||
| VTIZ | 三电平输入高阻抗电压 | 4.5 V < VVM < 5.5 V | 0.9 | 1.0 | 1.1 | V |
| 5.5V ≤ VVM ≤ 37V | 0.9 | 1.1 | 1.2 | |||
| VTIH | 三电平输入逻辑高电压 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| ITIL | 三电平输入逻辑低电流 | VI = 0V | –50 | -32 | µA | |
| ITIZ | 三电平输入高阻抗电流 | VI = 1.1V | -10 | 10 | µA | |
| ITIH | 三电平输入逻辑高电流 | VI = 5V | 113 | 150 | µA | |
| RTPD | 三电平下拉电阻 | 至 GND | 44 | kΩ | ||
| RTPU | 三电平上拉电阻 | 至内部 5V | 156 | kΩ | ||
| 四电平输入 (IMODE) | ||||||
| VQI2 | 四电平输入电平 1 | 电压至所设置的四电平 1 | 0 | 0.45 | V | |
| RQI2 | 四电平输入电平 2 | 电阻至 GND 至所设置的四电平 2 | 18.6 | 20 | 21.4 | kΩ |
| RQI3 | 四电平输入电平 3 | 电阻至 GND 至所设置的四电平 3 | 57.6 | 62 | 66.4 | kΩ |
| VQI4 | 四电平输入电平 4 | 电压至所设置的四电平 4 | 2.5 | 5.5 | V | |
| RQPD | 四电平下拉电阻 | 至 GND | 136 | kΩ | ||
| RQPU | 四电平上拉电阻 | 至内部 5V | 68 | kΩ | ||
| 开漏输出 (nFAULT) | ||||||
| VOL | 输出逻辑低电压 | IOD = 5mA | 0.35 | V | ||
| IOZ | 输出逻辑高电流 | VOD = 5V | -2 | 2 | µA | |
| 驱动器输出（OUT1、OUT2） | ||||||
| RDS(on)_HS | 高侧 MOSFET 导通电阻 | VVM = 24V、IO = 1A、TJ = 25°C | 350 | 420 | mΩ | |
| RDS(on)_LS | 低侧 MOSFET 导通电阻 | VVM = 24V、IO = -1A、TJ = 25°C | 350 | 420 | mΩ | |
| VSD | 体二极管正向电压 | ISD = 1A | 0.9 | V | ||
| tRISE | 输出上升时间 | VVM = 24V，OUTx 上升 10% 至 90% | 150 | ns | ||
| tFALL | 输出下降时间 | VVM = 24V，OUTx 下降 90% 至 10% | 150 | ns | ||
| tPD | 输入至输出传播延迟 | EN/IN1，PH/IN2 至 OUTx，从 OUTx 至 GND 为 200Ω | 650 | ns | ||
| tDEAD | 输出死区时间 | 体二极管导通 | 300 | ns | ||
| 保护电路 | ||||||
| VUVLO | 电源欠压锁定 (UVLO) | VVM 上升 | 4.3 | 4.45 | 4.6 | V |
| VVM 下降 | 4.2 | 4.35 | 4.5 | V | ||
| VUVLO_HYS | 电源 UVLO 迟滞 | 100 | mV | |||
| tUVLO | 电源欠压抗尖峰脉冲时间 | 10 | µs | |||
| VCPUV | 电荷泵欠压锁定 | VCP 相对于 VM，VVCP 下降 | 2.25 | V | ||
| IOCP | 过流保护跳变点 | 3.5 | 5.5 | A | ||
| tOCP | 过流保护抗尖峰脉冲时间 | 3 | µs | |||
| tRETRY | 过流保护重试时间 | 2 | ms | |||
| TTSD | 热关断温度 | 160 | 175 | 190 | °C | |
| THYS | 热关断滞后 | 20 | °C | |||
图 6-1 时序参数图