每个 FET 上的模拟电流限制电路都将通过移除栅极驱动来限制流经 FET 的电流。如果此电流限制的持续时间超过 t_OCP，则将会禁用相应 H 桥中的 FET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。FAULT 和 OCP 位在 SPI 寄存器中被锁存为高电平。对于 xOUTx 到 VM 短路，相应的 OCP_LSx_x 位在 DIAG 状态 1 寄存器中变为高电平。同样，对于 xOUTx 到接地短路，相应的 OCP_HSx_x 位会变为高电平。例如，对于 AOUT1 到 VM 短路，OCP_LS1_A 位会变为高电平；对于 BOUT2 到接地短路，OCP_HS2_B 位会变为高电平。在这种情况下，电荷泵仍保持激活状态。过流保护可在两种不同的模式下运行：锁存关断和自动重试。