ZHCSMR0B May 2020 – May 2022 DRV8932
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源电压（VM、DVDD） | ||||||
| IVM | VM 工作电源电流 | nSLEEP = 1，无负载 | 5 | 6.5 | mA | |
| IVMQ | VM 睡眠模式电源电流 | nSLEEP = 0 | 2 | 4 | μA | |
| tSLEEP | 休眠时间 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 120 | μs | ||
| tRESET | nSLEEP 复位脉冲 | nSLEEP 低电平至清除故障 | 20 | 40 | μs | |
| tWAKE | 唤醒时间 | nSLEEP = 1 至输出转换 | 0.8 | 1.2 | ms | |
| tON | 开通时间 | VM > UVLO 至输出转换 | 0.8 | 1.2 | ms | |
| VDVDD | 内部稳压器电压 | 无外部负载，6V < VVM < 33V | 4.5 | 5 | 5.5 | V |
| VVM = 4.5V | 4.2 | 4.35 | V | |||
| 电荷泵（VCP、CPH、CPL） | ||||||
| VVCP | VCP 工作电压 | 6V < VVM < 33V | VVM + 5 | V | ||
| f(VCP) | 电荷泵开关频率 | VVM > UVLO；nSLEEP = 1 | 360 | kHz | ||
| 逻辑电平输入（IN1、IN2、IN3、IN4、nSLEEP） | ||||||
| VIL | 输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.6 | V | ||
| VIH | 输入逻辑高电平电压 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 输入逻辑迟滞 | 150 | mV | |||
| IIL | 输入逻辑低电平电流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 输入逻辑高电平电流 | VIN = 5V | 100 | μA | ||
| 四电平输入 (TOFF) | ||||||
| VI1 | 输入逻辑低电平电压 | 连接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
| VI2 | 330kΩ ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | 1.4 | V | |
| VI3 | 输入高阻抗电压 | 高阻抗（>500kΩ 至 GND） | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
| VI4 | 输入逻辑高电平电压 | 连接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
| IO | 输出上拉电流 | 10 | μA | |||
| 控制输出 (nFAULT) | ||||||
| VOL | 输出逻辑低电平电压 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
| IOH | 输出逻辑高电平泄漏电流 | -1 | 1 | μA | ||
| 电机驱动器输出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4） | ||||||
| RDS(ONH) | 高侧 FET 导通电阻 | TJ = 25°C、IO = -1A | 450 | 550 | mΩ | |
| TJ = 125°C、IO = -1A | 700 | 850 | mΩ | |||
| TJ = 150°C、IO = -1A | 780 | 950 | mΩ | |||
| RDS(ONL) | 低侧 FET 导通电阻 | TJ = 25°C、IO = 1A | 450 | 550 | mΩ | |
| TJ = 125°C、IO = 1A | 700 | 850 | mΩ | |||
| TJ = 150°C、IO = 1A | 780 | 950 | mΩ | |||
| 电流调节 (VREF) | ||||||
| KV | 跨阻增益 | VREF = 3.3V | 2.09 | 2.2 | 2.31 | V/A |
| IVREF | VREF 泄漏电流 | VREF = 3.3V | 8.25 | μA | ||
| tOFF | PWM 关断时间 | TOFF = 0 | 7 | μs | ||
| TOFF = 1 | 16 | |||||
| TOFF = 高阻态 | 24 | |||||
| TOFF = 330kΩ 至 GND | 32 | |||||
| ΔITRIP | 电流跳变精度 | IO = 1.5A，10% 至 20% 电流设置 | -15 | 15 | % | |
| IO = 1.5A，20% 至 67% 电流设置 | -10 | 10 | ||||
| IO = 1.5A，68% 至 100% 电流设置 | -5 | 5 | ||||
| 保护电路 | ||||||
| VUVLO | VM UVLO 锁定 | VM 下降，UVLO 下降 | 4.1 | 4.25 | 4.35 | V |
| VM 上升，UVLO 上升 | 4.2 | 4.35 | 4.45 | |||
| VUVLO,HYS | 欠压迟滞 | 上升至下降阈值 | 100 | mV | ||
| VCPUV | 电荷泵欠压 | VCP 下降 | VVM + 2 | V | ||
| IOCP | 过流保护 | 流经任何 FET 的电流 | 2.5 | A | ||
| tOCP | 过流抗尖峰时间 | 1.8 | μs | |||
| TOTSD | 热关断 | 内核温度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
| THYS_OTSD | 热关断迟滞 | 内核温度 TJ | 20 | °C | ||