此器件的输出电流和功率损耗能力在很大程度上取决于 PCB 设计和外部系统状况。本节提供了一些用于计算这些值的指导。

此器件的总功率损耗 (P_TOT) 由三个主要部分组成。这三个组成部分是功率 MOSFET R_DS(ON)（导通）损耗、功率 MOSFET 开关损耗和静态电源电流损耗。尽管其他的一些因素可能会造成额外的功率损耗，但与这三个主要因素相比，其他因素通常并不重要。

P_TOT = P_COND + P_SW + P_Q

对于与 VM 连接的负载，假定所有输出均加载相同的电流，总导通损耗可以表示为：

P_COND = 4 x (I_OUT)² x R_DS(ONL)

由于 DRV8935 的高侧和低侧 MOSFET 具有相同的导通电阻，因此导通损耗将与输入 PWM 的占空比或 PWM 关断时间无关。需要注意的是，R_DS(ON) 与器件的温度密切相关。可以在“典型特性”曲线中找到一条显示了标称 R_DS(ON) 和温度的曲线。

P_COND = 4 x (1.5A)² x 0.165Ω = 1.485W

可以根据标称电源电压 (VM)、稳定输出电流 (I_OUT)、开关频率 (f_PWM) 以及器件输出上升 (t_RISE) 和下降 (t_FALL) 时间规格来计算 P_SW。

假定所有四个输出均同时开关：

P_SW = 4 x (P_{SW_RISE} + P_{SW_FALL})

P_{SW_RISE} = 0.5 x VM x I_OUT x t_RISE x f_PWM

P_{SW_FALL} = 0.5 x VM x I_OUT x t_FALL x f_PWM

P_{SW_RISE} = 0.5 x 24V x 1.5A x 100ns x 40kHz = 0.072W

P_{SW_FALL} = 0.5 x 24V x 1.5A x 100ns x 40kHz = 0.072W

P_SW = 4 x (0.072W + 0.072W) = 0.576W

可以根据标称电源电压 (VM) 和 I_VM 电流规格来计算 P_Q。

P_Q = VM x I_VM = 24V x 5mA = 0.12W

总功率损耗 (P_TOT) 是导通损耗、开关损耗和静态功率损耗之和。

P_TOT = P_COND + P_SW + P_Q = 1.485W + 0.576W + 0.12W = 2.181W

如果已知环境温度 T_A 和总功率损耗 (P_TOT)，则结温 (T_J) 的计算公式为：

T_J = T_A + (P_TOT x R_θJA)

在一个符合 JEDEC 标准的 4 层 PCB 中，采用 HTSSOP 封装时的结至环境热阻 (R_θJA) 为 31°C/W，而采用 VQFN 封装时则为 40.7°C/W。

假设环境温度为 25°C，则 HTSSOP 封装的结温为：

T_J = 25°C + (2.181W x 31°C/W) = 92.6°C

VQFN 封装的结温为：

T_J = 25°C + (2.181W x 40.7°C/W) = 113.8°C

应确保器件结温处于指定的工作范围内。

图 8-2 负载与 VM 连接的电流调节. CH1 = IN1 (3V/div)，CH3 = OUT1 (24V/div)，CH7 = IOUT1 (1.5A/div)

图 8-3 IN1 至 OUT1 传播延迟. CH1 = IN1 (3V/div)，CH3 = OUT1 (24V/div)