对于具有高侧再循环功能的 H 桥，每个 FET 的功率损耗近似值计算如下：

• P_HS1 = R_DS(ON) × I_L²

• P_LS1 = 0

• P_HS2 = [R_DS(ON) × I_L² × (1 – D)] + [2 × V_D × I_L × t_D × f_PWM]

• P_LS2 = [R_DS(ON) × I_L² × D] + [VM × I_L × t_RF × f_PWM]

对于估算反向负载电流的功率损耗，可采用相同的公式，仅将 HS1 与 HS2 和 LS1 与 LS2 互换。

在上面的公式中替换以下值：

• VM = 24 V

• I_L = 4A

• R_DS(ON) = 56mΩ

• D = 0.5

• V_D = 1V

• t_D = 300ns

• t_RF = 140ns

• f_PWM = 20kHz

每个 FET 中的损耗可按以下公式计算：

P_HS1 = 56mΩ × 4² = 0.896W

P_LS1 = 0

P_HS2 = [56mΩ × 4² x (1-0.5)] + [2 x 1V x 4A x 300ns x 20KHz] = 0.496W

P_LS2 = [ 56mΩ × 4² x 0.5] + [24 x 4A x 140ns x 20kHz] = 0.717W

静态电流损耗 P_Q = 24V × 4mA = 0.096W

P_TOT = 2 × (P_HS1 + P_LS1 + P_HS2 + P_LS2) + P_Q = 2 × (0.896 + 0 + 0.496 + 0.717) + 0.096 = 4.314W