ZHCSN93 March 2023 DRV8952
PRODUCTION DATA
每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路通过移除栅极驱动来限制通过 MOSFET 的电流。如果该电流限制的持续时间超过 tOCP，则会检测到过流故障。
仅会禁用发生过流的半桥
nFAULT 被驱动为低电平
电荷泵保持有效状态
高侧和低侧 MOSFET 上的过流情况；这意味着接地短路或电源短路将导致过流故障检测。
消除过流条件后，恢复机制取决于 DDW 封装的 OCPM 引脚设置。OCPM 引脚对闭锁或自动重试型恢复进行编程。当 OCPM 引脚为逻辑低电平时，该器件具有闭锁型恢复功能，这意味着消除 OCP 条件后，器件会在施加 nSLEEP 复位脉冲或下电上电后恢复正常运行。
当 OCPM 引脚为逻辑高电平时，经过 tRETRY 时间且故障条件消失后，器件将自动恢复正常运行（驱动器运行且释放 nFAULT 引脚）。
PWP 封装将仅支持闭锁型恢复，在应用 nSLEEP 复位脉冲或下电上电后将恢复正常运行。