每个半桥中的总功率损耗可计算为：

P_HB = P_HS + P_LS = [R_DS(ON) × I_L²] + [((2 × V_D × t_D) + (VM × t_RF)) × I_L × f_PWM]

其中，

• R_DS(ON) = 每个 FET 的导通电阻

  • 对于 DRV8962，其在 25°C 时通常为 53mΩ，在 150°C 时通常为 80mΩ。

• f_PWM = PWM 开关频率
• VM = 驱动器电源电压
• I_L = 负载电流
• D = PWM 占空比（介于 0 和 1 之间）

• t_RF = 输出电压上升/下降时间

  • 对于 DRV8962，上升/下降时间为 70ns 或 140 ns

• V_D = FET 体二极管正向偏置电压

  • 对于 DRV8962，该值为 1V

• t_D = 死区时间

  • 对于 DRV8962，该值为 300ns

因此，DRV8962 的总功率损耗为：

P_TOT = n × P_HB + P_Q

其中 n 是同时开关的半桥数量，P_Q 是静态功率损耗。

在本示例中，我们假设：

• 所有四个半桥都在开关

• VM = 24 V

• I_L = 3 A

• 环境温度 (T_A) = 25°C

• t_RF = 70ns

• 输入 PWM 频率 = 20kHz

当 VCC 引脚连接至外部电源时，静态电流为 4mA，因此 P_Q 为 (24V × 4mA) = 96mW。

P_HB = [53mΩ × 3²] + [((2 × 1V x 300ns) + (24V x 70ns)) x 3A x 20kHz] = 0.614W

P_TOT = (4 × 0.614) + 0.096 = 2.552W