可通过 VREF 电压 (V_VREF) 与 IPROPI 输出电阻器 (R_IPROPI) 设置电流斩波阈值 (I_TRIP)。可通过将外部 R_IPROPI 电阻器和 V_VREF 之间的压降与内部比较器进行比较来执行此操作。

例如，要将 I_TRIP 设为 5A，V_VREF 设为 3.3V，R_IPROPI 必须为：

R_IPROPI = V_VREF/(I_TRIP x A_IPROPI) = 3.3/(5 x 212 x 10^–6) = 3.09kΩ

可以禁用内部电流调节，方法是将 IPROPI 绑定到 GND 并将 VREF 引脚电压设置为高于 GND 的值（如果不需要电流反馈）。如果需要电流反馈但不需要电流调节，则需要设置 V_VREF 和 R_IPROPI，使 V_IPROPI 永远不会达到 V_VREF 阈值。

DRV8962 可同时驱动多达四个电阻或电感负载。在将输出负载接地后，可将负载电流调节至 I_TRIP 电平。PWM 关断时间 (t_OFF) 固定为 17μs。固定关断时间模式允许在外部控制器不介入的情况下使用简单的电流斩波方案。固定关断时间模式将支持 100% 占空比的电流调节。

控制负载电流的另外一种方式是逐周期控制模式，在该模式下，必须控制 INx 输入引脚的 PWM 脉冲宽度。这样即可通过外部控制器来额外控制电流斩波方案。

下面介绍了驱动高侧和低侧负载的几种情况：

• 电阻负载接地：

只要在消隐时间内有负载电感来减慢电流增加的速度，稳定电流就不会超过 I_TRIP。如果 I_TRIP 高于 (VM/R_LOAD)，则在 INx = 1 时，会将负载电流调节至 VM/R_LOAD 电平（如图 7-3 所示）。

• 电感负载接地：

应确保在每个周期对电流进行足够衰减，以防失控和触发过流保护。

• 对于图 7-4 所示的情况，当 INx = 1时，低侧 MOSFET 在 I_OUT 超过 I_TRIP 后，在 t_OFF 时间内保持导通状态。t_OFF 后，将再次导通高侧 MOSFET，直至 I_OUT 再次超过 I_TRIP。

如果在 t_OFF 时间过后，电流仍高于 I_TRIP 电平，则器件将强制执行时间相同的另一个 t_OFF 时间段。将持续延长关断时间，直至检测到的电流在 t_OFF 时间结束时小于 I_TRIP。

• 也可以使用逐周期方法来控制负载。当 INx = 1 时，流经该负载的电流将增加；当 INx = 0 时，流经该负载的电流将衰减。通过适当选择 INx 脉冲的占空比，可以将电流调节到目标值。图 7-5 和图 7-6 显示了上述情况。

在第二种情况中，需要对 INx 引脚的占空比进行调节（T 必须小于 T_OFF），从而确保电流不会失控。

• 负载连接至 VM：

可以通过控制 INx 引脚脉冲宽度来控制此类负载：INx = 0 时，电流会增加；INx = 1 时，电流会衰减，如图 7-7 和图 7-8 所示。

在这种情况下，需要对 INx 引脚的占空比进行调节，以确保电流不会失控。